1 云南大学光电信息材料研究所, 云南 昆明 650091
2 云南大学物理系, 云南 昆明 650091
3 多伦多大学材料科学与工程系, 加拿大 多伦多 M5S 3E4
介绍的光光转换器是新型红外光-可见光转换器件, 红外光产生的光生载流子直接注入有机发光二极管产生可见光。以半导体红外探测与有机发光器件单片集成的光光转换器, 直接实现了红外光到可见光的集成转换, 在红外凝视技术中有极大的应用潜力。综述了无机红外探测与有机发光的光-光转换器的研究进展。
半导体量子点 有机发光二极管 光-光转换器 semiconductor quantum dots OLED IRL-VSL converter
云南大学光电信息材料研究所，云南 昆明 650091
运用第一性原理的超软赝势方法研究了Si晶体中自填隙形成的多种缺陷对体Si电子结构和光学性质的影响。理论计算表明，缺陷使体Si材料的晶格常数、体积、电学和光学性质等产生了不同程度的改变，空位缺陷导致Si晶体材料吸收光谱红移。
第一性原理 缺陷 硅基 光学性质 first-principles defect silicon optical properties
1 云南大学 工程技术研究院光电信息材料研究所，云南 昆明 650091
2 昆明冶研新材料股份有限公司，云南 昆明 650031
3 昆明理工大学冶金与能源工程学院，云南 昆明 650093
采用离子束溅射技术，在生长了Si缓冲层的硅晶片上制备了一系列Ge量子点样品.借助原子力显微镜(AFM)和Raman光谱等测试手段研究了Ge/Si量子点生长密度、尺寸及排列均匀性的演变规律.结果表明，改变Si缓冲层厚度及其生长方式，可以有效控制量子点的尺寸、均匀性和密度.随缓冲层厚度增大，量子点密度先增大后减小，停顿生长有利于提高缓冲层结晶性，从而提高量子点的密度，可以达到1.9×1010 cm-2.还研究了Si缓冲层在Ge量子点生长过程中的作用，并提出了量子点的生长模型.
硅缓冲层 锗量子点 离子束溅射 Si buffer layer Ge quantum dots ion beam sputtering
