研究了电子辐射剂量对CMOS图像传感器性能的影响, 性能参数为平均暗电流输出和光强响应度。搭建了电子辐射场和光强响应度的测量系统, 在器件处于工作状态和非工作状态下分别对其辐射, 辐射剂量为: 5×103 rad、1×104 rad、7×104 rad、1×105 rad、5×105 rad。对于暗电流, 当辐射总剂量超过7×104 rad~1×105 rad之间的某一个阈值时, 暗电流随着辐射剂量的增长基本呈线性增加;光强响应方面, 当器件处于非工作状态接受辐射时, 辐射剂量对光强响应影响不大;当器件处于工作状态接受辐射时, 辐射剂量超过7×104 rad, 光强响应曲线会下移, 斜率减小, 灵敏度降低。理论分析后, 得到了暗电流随电子辐射剂量的变化模型。研究表明: 长期工作于空间环境下的CMOS图像传感器, 容易受到辐射总剂量效应的影响, 需采取一定的防辐射措施。