环氧树脂（EP）及其复合材料在核工业中有着广泛的应用，对其辐射效应的研究可为开发耐辐射环氧树脂材料提供参考。本工作以四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯（TADE）/甲基六氢苯酐（MHHPA）体系为研究对象，以两种不同平均粒径（7.5 μm和757 nm）的氮化硼为填料制备氮化硼/环氧树脂复合材料。采用密度泛函理论（DFT）对环氧树脂交联结构的裂解方式进行了讨论，并研究了两种氮化硼/环氧树脂复合材料受不同吸收剂量的γ-射线辐照前后的力学性能和热稳定性能的变化规律。结果表明：环氧树脂交联点结构所包含的化学键中，异丙醇单元的C-C键键能最低，最易断裂，从而导致高分子交联网络被破坏。吸收剂量超过250 kGy时，环氧树脂及其复合材料的拉伸强度和热分解温度出现明显下降。辐照后的力学强度是BN粒径和添加量综合影响的结果，当吸收剂量达到1 100 kGy时，质量分数为3%的n-BN/EP的拉伸强度最大，其热分解温度也最高。因此，少量添加亚微米级尺寸的h-BN可以提升环氧树脂的耐辐射性能。本工作对耐辐射环氧树脂复合材料的开发具有理论和实践指导意义。

碳化硅功率器件凭借优异性能被抗辐照应用领域寄予厚望。为探究碳化硅功率器件抗中能质子辐照损伤能力，明确其辐射效应退化机制，对标低地球轨道累积十年等效质子位移损伤注量，针对高性能国产碳化硅结势垒肖特基二极管开展了10 MeV质子室温、无偏压辐照实验。测试了器件辐照前后的正向伏安特性、反向伏安特性、电容特性等电学特性，并通过深能级瞬态谱仪分析了辐照缺陷引入特点。结果显示：器件辐照后正向电性能稳定，较低反向安全电压下漏电流减小，注量增加后击穿电压严重退化；分析认为质子辐照导致势垒高度增加、辐照缺陷增加、载流子浓度降低。碳化硅肖特基功率器件的辐射损伤过程及机理研究，为其中能质子环境应用的评估验证提供了数据支撑。

为了探究850 nm垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL）在空间辐射环境中的退化规律与机理，开展了3 MeV和10 MeV质子辐照实验，获得了光输出功率和阈值电流等参数随质子注量的退化规律，同时发现光输出功率和阈值电流在相同位移损伤剂量（Displacement Damage Dose，DDD）下的退化程度基本一致。在实验的基础上使用Silvaco软件进行建模与仿真计算，结果与实验结果具有较高一致性，在仿真模型中提取了陷阱密度、施主与受主电离密度、镜面损失、辐射复合速率和光子数等微观参数，在实验规律基础上深入探究了参数退化规律与辐射损伤机制。仿真结果发现这些微观参数随质子注量增加均有不同程度的变化。该结果对于进一步深入理解VCSEL退化机制具有重要意义的参考价值。

在脉冲X射线辐射效应研究中，需要将时间维度信息结合到仿真模型中，进而实现基于时间能量联合方法的辐射效应数值模拟，同时也为瞬态脉冲辐照效应的仿真提供了一种思路。建立轫致辐射打靶模型，计算出射脉冲X射线能谱，得到脉冲X射线的时间能量联合谱，结合辐射对象的辐射效应仿真模型，获得氧化铝陶瓷试样在不同时间及不同入射深度处的能量沉积。

为掌握雷达装备在带内连续波辐射下的效应规律、揭示带内连续波对雷达的干扰作用机理，以某型频率步进雷达为受试对象，采用全电平辐照法对其进行电磁辐射效应试验研究。带内单频点电磁辐射效应试验结果表明，受试雷达在带内连续波辐射能量作用下，出现测距不准、目标回波电平受到压制等效应。测距误差随辐射干扰功率的增加不规则地变化，而目标回波电平随辐射功率的增加而逐渐减小。带内单频连续波辐射敏感度试验结果表明，受试雷达对带内电磁辐射能量非常敏感。在给定试验条件下，最小只需要0.32 V/m（频差为?0.1 GHz时）的辐射场强就能对受试雷达造成有效干扰。辐射频差超过±0.16 GHz后，临界干扰场强开始急剧增加，受试雷达的连续波电磁辐射效应表现出明显的选频特性。