研究了几种典型电源类电子器件的中子和总剂量辐射效应, 包括单总剂量效应、单中子辐射效应、总剂量和中子分时序贯辐照效应以及中子和总剂量同时辐照效应, 分析了不同辐照条件下电子器件的失效中子注量 (总剂量 )阈值。试验结果显示, 分时序贯、同时辐照试验给出的电子器件辐照失效阈值低, 而单项辐射效应试验给出的失效阈值偏高。对于该类双极工艺器件存在协同增强损伤的机理进行了分析, 其主要原因在于同时辐照时, 电离损伤在晶体管氧化层产生氧化物正电荷, 使基区表面势增加, 与此同时界面态数量增多, 减少 Si体内次表面载流子浓度的差异, 从而使电流增益的退化加剧, 增强晶体管的中子位移损伤。按照同时辐照进行试验考核, 更能真实评估器件的综合抗辐射性能, 研究结果对于器件抗辐射性能评估具有重要意义。

综述了微机电系统 (MEMS)加速度计辐照效应与辐照机理国内外现状，阐释了其加固技术研究的必要性。介绍了不同类型 MEMS加速度计的辐射敏感性及材料的辐射退化机理、不同材料的辐射损伤表现及硅材料的辐射效应；重点分析了 MEMS加速度计国内外辐照试验研究，最后给出了 MEMS加速度计辐射加固研究方向的建议。

针对高压换流器类器件的电特性参数, 设计了一种适合辐射效应在线测试的自动测试系统, 适用于剂量率、总剂量与中子注量辐照试验中的参数测试。本文简述了系统测试功能和软硬件组成, 并利用高压换流器 SWM012RH完成了辐照试验测试验证。测试结果表明, 检测系统能够完成主要参数的测试, 高压测试精确度满足 1%的要求, 为开展高压换流器相关类型器件的辐照试验验证和抗辐射性能评估能力奠定了基础。

为了分离永久性气体及低碳轻化合物, 基于MEMS技术, 研究制备了一种微型填充式的气相色谱柱。为了增加色谱柱的长度以及深宽比, 色谱柱的沟道制备采用了激光刻蚀技术, 这种技术可以方便的在玻璃基底上刻蚀出深沟道, 这是其他化学腐蚀技术无法比拟的。研制的色谱柱其沟道横截面为1.2 mm(深度)×0.6 mm(宽度), 深宽比为2∶1。实验结果表明, 这种微型填充柱, 具有较大的样品容量, 能很好的实现CO和SO2的分离。

由于大部分环境样品的浓度非常低, 为了实现其直接检测, 提出将一种集成化的微型富集器应用到色谱系统中。富集器可实现色谱系统的进样与样品富集,能将色谱仪的检测限提高1~2个数量级。设计的富集器采用了高容量4平行通道结构,沟道内填充了高吸附率的Tenax-TA吸附材料,来实现对环境样品中挥发性有机化合物组分的富集。此外,为了密闭热解吸过程中所释放的组分,在微型富集器后集成了微型阀。试验结果表明,研制的微型富集器取得了15倍以上的富集因子。而且,通过微阀的控制,色谱峰的拖尾和峰展宽得到了有效的控制。因此,该微型富集器可广泛应用到环境样品的快速检测中,提高各检测器对复杂环境的适应能力。

采用了2种γ脉冲辐射源,在脉冲宽度分别约为20,50,150 ns,剂量率为106～109 Gy(Si)·s-1下,对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析,比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异。实验结果表明:脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素,γ脉冲宽度越宽,辐照响应越强,分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显。

提出了一种基于SUSAN算法和Hough变换的直线边缘亚像素定位方法。在该方法中,给出了SUSAN算法模板选择的依据,同时定义了直线边缘响应函数并引入加权Hough变换。首先,利用直线边缘响应函数对直线边缘进行提取;然后对具有响应值的灰度点进行Hough变换并将该响应值作为权值记入参数空间累加器,得到粗定位;在粗定位的基础上对映射区进行局部细化,并对区域内点进行拟合,最终得到直线边缘精定位。实验证明:直线边缘定位精度可达0.3pixels,同时为解析曲线亚像素定位提供了一种新的思路。