中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621900
采用了2种γ脉冲辐射源,在脉冲宽度分别约为20,50,150 ns,剂量率为106～109 Gy(Si)·s-1下,对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析,比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异。实验结果表明:脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素,γ脉冲宽度越宽,辐照响应越强,分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显。
脉冲宽度 辐射效应 剂量率 辐射存储时间 pulse-width radiation effect dose rate radiation storage time 强激光与粒子束
2009, 21(10): 1539
