强激光与粒子束
2024, 36(4): 043027
强激光与粒子束
2023, 35(12): 124009
1 安徽大学物理与光电工程学院合肥 230601
2 安徽省辐射环境监督站合肥 230071
3 哈尔滨工程大学核科学技术学院哈尔滨 150001
4 黑龙江省原子能研究院哈尔滨 150081
本文基于Φ7.5 cm×7.5 cm NaI（Tl）探测器，开展测量γ射线空气吸收剂量率方法的研究。使用蒙特卡罗方法对NaI（Tl）探测器进行仿真模拟，获取探测器50 keV~2.5 MeV能量范围的γ射线能谱图。利用G（E）函数对放射源空气吸收剂量率进行计算，求解G（E）函数时考虑Kmax与优化因子M对其计算空气吸收剂量率产生的影响，对G（E）函数的求解进行优化以提高计算精度。经过优化的G（E）函数计算的空气吸收剂量率与理论标准值相对偏差S低于±1%。最后经过实验测量对比发现，G（E）函数空气吸收剂量率计算结果与剂量率仪测量结果相对偏差小于±10%，说明经过优化得到的NaI（Tl）探测器G（E）函数值可以用于空气吸收剂量率的测量应用。
NaI（Tl）探测器 G（E）函数 空气吸收剂量率 NaI(Tl) detector G(E) function Air absorbed dose rate 辐射研究与辐射工艺学报
2023, 41(5): 050701
辐射研究与辐射工艺学报
2023, 41(2): 020101
辐射研究与辐射工艺学报
2023, 41(3): 030601
1 中国科学院上海应用物理研究所 上海 201800
2 中国科学院大学 北京 100049
3 四川大学华西医院医学装备创新研究中心 成都 610041
4 （太丛信息科技（上海）有限公司 上海 200233）
5 南京迈丛医疗科技有限公司 南京 210023
6 江苏省人民医院肿瘤放射治疗科 南京 210029
7 湖南省肿瘤医院放射物理技术部 长沙 410013
本文基于Hygeia公司GMX-1型钴（60Co）放射外科系统，采用蒙特卡罗模拟程序GEANT4设计了一款新型准直器并进行了实测分析。该准直器在锥形通孔内置锥形环孔聚焦结构。EBT3胶片测量结果表明，在放射源活度、源轴距、射野尺寸等保持不变的条件下，该改进型准直器的射野半影比原来减小17.6%，吸收剂量率是原来的2.12倍。该改进型准直器在中心点吸收剂量率、射野半影两个关键技术参数上具有显著优势。
放射治疗 准直器 剂量率 射野半影 Radiotherapy Collimator Dose rate Penumbra 辐射研究与辐射工艺学报
2023, 41(3): 030304
1 西安交通大学核科学与技术学院，陕西西安 710049
2 西北核技术研究院，陕西西安 710024
3 西安电子科技大学空间科学与技术学院，陕西西安 710126
4 模拟集成电路国家重点实验室，重庆 400060
5 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室，新疆乌鲁木齐 830011
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管 (SiGe HBT)具有良好的温度特性，可承受-180~+200 ℃的极端温度，在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而，SiGe HBT器件由于材料和工艺结构的新特征，其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特征。本文详述了 SiGe HBT的空间辐射效应研究现状，重点介绍了国产工艺 SiGe HBT的单粒子效应、总剂量效应、低剂量率辐射损伤增强效应以及辐射协同效应的研究进展。研究表明，SiGe HBT作为双极晶体管的重要类型，普遍具有较好的抗总剂量和位移损伤效应的能力，但单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题。由于工艺的不同，国产 SiGe HBT还表现出显著的低剂量率辐射损伤增强效应响应和辐射协同效应。
锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 总剂量效应 低剂量率辐射损伤增强效应 电离总剂量/单粒子效应协同效应 电离总剂量/位移损伤协同效应 SiGe heterojunction bipolar transistors Single Event Effects Total Ionizing Dose effect Enhanced Low Dose Rate Sensitivity synergistic effect of total ionizing dose and sing synergistic effects of ionizing dose and displacem 太赫兹科学与电子信息学报
2022, 20(6): 523
1 中国科学院 新疆理化技术研究所 特殊环境功能材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011
2 中国科学院 新疆理化技术研究所 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011
3 中国科学院大学, 北京 100049
研究了P型帽层和共源共栅(Cascode)结构氮化镓(GaN)功率器件高/低剂量率辐照损伤效应。试验结果表明,P型帽层和Cascode结构GaN功率器件都不具有低剂量率损伤增强效应(ELDRS); Cascode结构GaN功率器件总剂量辐照损伤退化更明显; P型帽层结构的GaN功率器件抗总剂量能力较强。分析了二者的退化机制。试验结果为GaN功率器件空间应用提供了有益参考。
氮化镓功率器件 总剂量效应 低剂量率损伤增强效应 GaN power device total ionizing dose effect enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS)
1 中电科技集团重庆声光电有限公司, 重庆 401332
2 中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060
3 重庆地区军代室,重庆 400060
4 云南无线电有限公司, 云南 昆明 650223
5 四川交通职业技术学院, 四川 成都 611130
加速度压电传感器是反应堆内常用的振动测量器件, 其核心部件是压电陶瓷材料。由于在强核辐射环境下, 中子和γ线分别于压电陶瓷内的原子核和核外电子发生相互作用, 发生微观损伤, 此损伤经由分子尺度、介观尺度直至会表现为宏观性能(包括材料的压电性能及表观形貌信息等)的变化, 将影响器件的性能。长时间、高剂量率γ线辐照对压电陶瓷材料性能变化已有研究, 然而短时间、高剂量率γ线辐照对压电陶瓷材料性能变化的研究较少。该文在辐射装置上进行压电陶瓷材料的高剂量率γ线辐照, 随后对材料辐照前、后的压电性能、表观形貌等信息进行实验测试, 通过测试结果分析了高剂量率γ线辐照对压电陶瓷材料性能的影响。
压电陶瓷材料 高剂量率γ线辐照 压电性能变化 表观形貌 piezoelectric ceramic materials high dose rate gamma irradiation piezoelectric property change apparent morphology
1 中国科学院 微电子研究所，北京 100029
2 中国科学院 硅器件技术重点实验室，北京 100029
3 中国工程物理研究院 电子工程研究所，四川 绵阳 621999
瞬时剂量率辐射效应模拟测试存在着试验资源有限、环境电磁干扰强、重复性不高等不利因素。本文开发了瞬时剂量率效应脉冲激光模拟测试技术，以1?064?nm激光构建完整精细的剂量率效应地面模拟测试系统。利用此系统开展了不同工艺节点、不同沟道类型、不同衬底形式的瞬时剂量率效应实验研究。仿真实验结果表明相同条件下，体硅器件光电流比绝缘衬底上的硅(SOI)器件大10倍以上，光电流受源漏电压影响也大于SOI器件。
剂量率效应 激光模拟 体硅器件 SOI器件 dose rate effects laser simulation bulk silicon devices SOI devices 太赫兹科学与电子信息学报
2020, 18(6): 1157
