分析了多相DC-DC变换器的均流环路小信号动态特性以及极限环振荡条件, 提出一种基于平均电流的数字均流技术, 并据此实现了一种多相DC-DC数字控制器。采用基于同步设计的均流控制电路和数字脉宽调制器实现电流均衡和相位交错。该多相DC-DC数字控制器芯片基于0.18 μm CMOS工艺设计。仿真结果表明, 在10~20 A阶跃负载电流下, 输出过冲/下冲电压在20 mV以内, 开关频率在0.5 MHz~2 MHz范围内可调整, 均流误差从20.8%减小到5%以下。

研究了P型帽层和共源共栅(Cascode)结构氮化镓(GaN)功率器件高/低剂量率辐照损伤效应。试验结果表明,P型帽层和Cascode结构GaN功率器件都不具有低剂量率损伤增强效应(ELDRS); Cascode结构GaN功率器件总剂量辐照损伤退化更明显; P型帽层结构的GaN功率器件抗总剂量能力较强。分析了二者的退化机制。试验结果为GaN功率器件空间应用提供了有益参考。

为了反应真实导引头在隔离度作用下的输出特性, 提出了一种基于隔离度寄生回路的导引头传递函数概念及测试方法。通过建立导引头隔离度模型, 推导了不同干扰力矩作用下的隔离度传递函数, 对隔离度寄生回路稳定域进行分析, 并得到了寄生回路失稳频率变化规律。建立了包含寄生回路的真实导引头传递函数模型, 对真实导引头传递函数的频域特性和时域特性进行了仿真分析。最后, 提出了基于寄生回路的导引头传递函数半实物仿真测试方法, 通过测试从而得到真实导引头模型, 提高导引头系统建模的准确性。

通过静电相互作用将单分散性良好的Au@Ag核壳复合双金属纳米棒(Au@AgNRs)负载于滤纸, 制得载Au@AgNRs的复合滤纸。 用扫描电子显微镜观察了使用不同Au@AgNRs溶液制备的复合滤纸Au@AgNRs中的分布情况, 并统计了单位面积滤纸中Au@AgNRs的粒子数。 将制得的载不同数量Au@AgNRs复合滤纸用作表面增强拉曼光谱(SERS)基底, 通过擦拭载玻片检测了其表面吸附的微量二硫化四甲基秋兰姆, 发现使用150 nmol·L-1 Au@AgNRs溶液制备的复合滤纸具有较好的增强效果和检测重复性, 十次重复检测结果的相对标准偏差为3.1%, 检测线性范围为10-14~10-7 mol·L-1。 载Au@AgNRs复合滤纸可作为SERS基底用于蔬菜水果表面农残的检测。

以脉冲染料激光器579 nm激光为激发源, 采用双光子激光诱导色散荧光光谱方法, 对SO2分子第一激发带A对称电子态的激发及复杂退激发过程进行了实验研究。 基态SO2分子吸收两个579 nm光子被激发至A1A2态, 通过能量内转换或碰撞弛豫实现在A1A2, B1B1与a3B1态多个振转能级的再布居。 三个电子态基振动能级向基态X1A1不同振动能级跃迁形成了305和425 nm处荧光包络与以347 nm为中心的规则序列。 另外, 还观测到了SO2分子的三光子激发过程X1A1→C1B2, 此激发产生了200~278 nm处的荧光包络和425 nm处的谱线叠加现象。 由实验数据计算出了SO2分子有关电子态的对称振动和弯曲振动模式的基振动角频率及非谐性常数。