中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳 621999
综述了微机电系统 (MEMS)加速度计辐照效应与辐照机理国内外现状，阐释了其加固技术研究的必要性。介绍了不同类型 MEMS加速度计的辐射敏感性及材料的辐射退化机理、不同材料的辐射损伤表现及硅材料的辐射效应；重点分析了 MEMS加速度计国内外辐照试验研究，最后给出了 MEMS加速度计辐射加固研究方向的建议。
微机电系统加速度计 辐射效应 辐射加固 Micro Electromechanical Systems accelerator radiation effects radiation hardness 太赫兹科学与电子信息学报
2021, 19(1): 162
1 中国科学院 微电子研究所，北京 100029
2 中国科学院 硅器件技术重点实验室，北京 100029
3 中国工程物理研究院 电子工程研究所，四川 绵阳 621999
瞬时剂量率辐射效应模拟测试存在着试验资源有限、环境电磁干扰强、重复性不高等不利因素。本文开发了瞬时剂量率效应脉冲激光模拟测试技术，以1?064?nm激光构建完整精细的剂量率效应地面模拟测试系统。利用此系统开展了不同工艺节点、不同沟道类型、不同衬底形式的瞬时剂量率效应实验研究。仿真实验结果表明相同条件下，体硅器件光电流比绝缘衬底上的硅(SOI)器件大10倍以上，光电流受源漏电压影响也大于SOI器件。
剂量率效应 激光模拟 体硅器件 SOI器件 dose rate effects laser simulation bulk silicon devices SOI devices 太赫兹科学与电子信息学报
2020, 18(6): 1157
中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900
简要叙述了反熔丝FPGA的基本结构,介绍了一种FPGA延时电路的工作原理以及利用该电路在"强光一号"脉冲加速器上进行γ瞬时辐照试验的方法,给出了试验测量结果.分析表明:高剂量率γ瞬时电离辐射会破坏FPGA延时电路一个信号周期的工作状态,因此存在功能失效的可能性.但就整体而论,反熔丝FPGA抗瞬时辐射的性能要优于其它许多大规模CMOS集成电路.
反熔丝FPGA 延时电路 辐射效应 γ剂量率
