瞬时电离辐射在电子器件内部形成的光电流可引起器件输出扰动，导致电路中部分器件受电源、输入信号及自身产生光电流扰动的多重影响，而单独对器件进行试验无法反映γ瞬时辐射输出扰动在电子组件系统中的传递影响。为此对由DC/DC、稳压器、单片机CPU，FPGA等组成的控制器组件在2.8×105~1.7×107 Gy(Si)/s的范围内开展了γ瞬时辐射效应的试验研究。试验中对组件功能和器件参数的测试结果表明，在较小的瞬时剂量率下，部分器件输出受到影响，但组件功能正常; 较大剂量率时，所有器件均受影响，且组件功能中断。同时观测到瞬时辐射形成的扰动信号在器件间传输现象。
电子系统 瞬时辐照效应 γ剂量率 electronic circuits transient radiation effect γ dose rate 强激光与粒子束
2016, 28(4): 044001
中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900
简要叙述了反熔丝FPGA的基本结构,介绍了一种FPGA延时电路的工作原理以及利用该电路在"强光一号"脉冲加速器上进行γ瞬时辐照试验的方法,给出了试验测量结果.分析表明:高剂量率γ瞬时电离辐射会破坏FPGA延时电路一个信号周期的工作状态,因此存在功能失效的可能性.但就整体而论,反熔丝FPGA抗瞬时辐射的性能要优于其它许多大规模CMOS集成电路.
反熔丝FPGA 延时电路 辐射效应 γ剂量率
