瞬时电离辐射在电子器件内部形成的光电流可引起器件输出扰动，导致电路中部分器件受电源、输入信号及自身产生光电流扰动的多重影响，而单独对器件进行试验无法反映γ瞬时辐射输出扰动在电子组件系统中的传递影响。为此对由DC/DC、稳压器、单片机CPU，FPGA等组成的控制器组件在2.8×105~1.7×107 Gy(Si)/s的范围内开展了γ瞬时辐射效应的试验研究。试验中对组件功能和器件参数的测试结果表明，在较小的瞬时剂量率下，部分器件输出受到影响，但组件功能正常; 较大剂量率时，所有器件均受影响，且组件功能中断。同时观测到瞬时辐射形成的扰动信号在器件间传输现象。

为了考核FPGA器件空间使用时的抗辐射能力, 对Altera SRAM型FPGA器件60Co γ辐照后的总剂量辐射损伤效应及退火效应进行了研究。通过不同模块实现相同的分频功能, 比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系; 通过实现不同源程序所需的模块不同, 比较了不同模块、不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系。分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因, 讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异。测量了输出端口的高低电平, 分析了高低电平随总剂量、退火时间的变化关系。实验结果表明: 氧化物正电荷的退火导致了不同退火温度下的功耗电流的恢复, 并且浅能级亚稳态的氧化物正电荷的数量多于深能级氧化物正电荷的数量;随着退火时间的增加,功能恢复为突变过程, 而功耗电流的恢复为渐变过程。