对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、⁶⁰Co-γ射线辐照试验，研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显示在质子、γ射线辐照下，电荷耦合器件的饱和输出电压显著退化，而在1 MeV中子辐照下，饱和输出电压基本保持不变，表现出较好的抗中子能力。分析认为饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响，一方面辐射感生界面态导致阈值电压正向漂移使耗尽层可存储最大电荷量下降；另一方面电离辐射损伤使电荷耦合器件片上放大器增益减小导致饱和输出电压下降。

空间辐射环境会对电子器件产生辐射损伤。由于商用器件性能普遍优于抗辐射加固器件，所以从商用器件中筛选出抗辐射性能优异的器件将在一定程度上提高空间电子系统的可靠性。结合数学回归分析与物理应力实验的方法，研究了集成电路抗辐射性能无损筛选技术。通过不同的外界能量注入及总剂量辐照实验，探究电路典型参数的应变情况与电路耐辐射性能的关系，并确定其辐射敏感参数；建立预测电路抗辐射性能的多元线性回归方程，并对应力条件下的回归方程进行辐照实验验证。结果显示，物理应力实验与数学回归分析结合的筛选方法减小了实验值与预测值的偏差，提高了预估方程的拟合优度和显著程度，使预估方程处于置信区间。

为了考核FPGA器件空间使用时的抗辐射能力, 对Altera SRAM型FPGA器件60Co γ辐照后的总剂量辐射损伤效应及退火效应进行了研究。通过不同模块实现相同的分频功能, 比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系; 通过实现不同源程序所需的模块不同, 比较了不同模块、不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系。分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因, 讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异。测量了输出端口的高低电平, 分析了高低电平随总剂量、退火时间的变化关系。实验结果表明: 氧化物正电荷的退火导致了不同退火温度下的功耗电流的恢复, 并且浅能级亚稳态的氧化物正电荷的数量多于深能级氧化物正电荷的数量;随着退火时间的增加,功能恢复为突变过程, 而功耗电流的恢复为渐变过程。