提出了一种抗辐射加固12T SRAM存储单元。采用NMOS管组成的堆栈结构降低功耗，利用单粒子翻转特性来减少敏感节点，获得了良好的可靠性和低功耗。Hspice仿真结果表明，该加固SRAM存储单元能够完全容忍单点翻转，容忍双点翻转比例为33.33%。与其他10种存储单元相比，该存储单元的面积开销平均增加了3.90%，功耗、读时间和写时间分别平均减小了34.54%、6.99%、26.32%。电路静态噪声容限大且稳定性好。

综述了微机电系统 (MEMS)加速度计辐照效应与辐照机理国内外现状，阐释了其加固技术研究的必要性。介绍了不同类型 MEMS加速度计的辐射敏感性及材料的辐射退化机理、不同材料的辐射损伤表现及硅材料的辐射效应；重点分析了 MEMS加速度计国内外辐照试验研究，最后给出了 MEMS加速度计辐射加固研究方向的建议。

针对电源电路抗γ总剂量辐射性能评估问题，建立了元器件和电路的性能模型，并搭建测试电路对模型进行了测试。开展了辐照敏感关键元器件的γ总剂量辐照试验，获取了元器件关键参数随γ累积总剂量变化的实验数据，将参数变化规律注入模型，开展了电源电路抗辐射性能仿真，获得了电路关键特征参数输出电压随累积总剂量的变化规律。采用裕量与不确定性量化(QMU)方法对电源电路的抗辐射性能进行评估，并与电路实际辐照实验结果进行对比，结果表明，QMU评估结果与实际实验结果保持了较好的一致性。

建立了一种基于状态分析的电子系统抗辐射能力评估方法，该方法以电子系统中单元器件的辐射效应实验数据为基础，采用行为级电路仿真方法对电子系统功能状态进行分析，并应用蒙特卡罗方法模拟辐射损伤随机性对系统功能状态的影响，最终结合系统功能阈值，给出系统功能的裕量及不确定度估计，进而对系统抗辐射能力进行评估。为了验证评估方法的可行性，应用该方法对某模数转换电子系统的抗γ总剂量能力进行了评估，并将评估结果与该电子系统的γ总剂量效应实验结果进行了对比。结果表明该评估方法能够定量给出系统功能在受到辐射损伤后的变化，评估方法给出结果与实验结果在变化趋势和评估结论上基本一致。

为了评估某电源系统抗伽玛总剂量辐射能力, 研究了评估电子系统抗伽玛总剂量辐射能力的QMU方法。为获得应用QMU方法所需的输入量, 提出了以蒙特卡罗方法和SPICE电路模拟相结合的分析方法, 用以确定受伽玛辐照后系统性能参数的裕量及不确定度。应用QMU方法对电源系统抗伽玛总剂量能力进行了评估, 将评估结果和实验结果进行了比较, 验证了方法的可行性。

为了研究硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能，采取了0．8MeV电子在4个辐照剂量(10¹³cm^－2～10¹⁴cm^－2)分别辐照3种不同厚度二氧化硅钝化的光电二极管的方法，比较了光电二极管光电流变化率和暗电流变化率，得到了3种钝化厚度的光电二极管的性能参数有不同程度衰减的结果。辐照后光电二极管的光电流衰减强烈依赖入射光波长，在短波和长波阶段衰减明显，而在中波阶段(600nm～800nm)基本不衰减。另外，暗电流变化率随着辐照剂量迅速增加，当辐照剂量达到1×10¹⁴cm^－2时，短波光电流仅为辐照前的80%，暗电流为辐照前的40倍。实验中还发现，薄钝化的二极管的光电流衰减最小，其暗电流增加最显著。结果表明，钝化膜的辐射特性与器件结构和钝化膜工艺密切相关。