提出了一种抗辐射加固12T SRAM存储单元。采用NMOS管组成的堆栈结构降低功耗，利用单粒子翻转特性来减少敏感节点，获得了良好的可靠性和低功耗。Hspice仿真结果表明，该加固SRAM存储单元能够完全容忍单点翻转，容忍双点翻转比例为33.33%。与其他10种存储单元相比，该存储单元的面积开销平均增加了3.90%，功耗、读时间和写时间分别平均减小了34.54%、6.99%、26.32%。电路静态噪声容限大且稳定性好。

采用高温固相反应法制备了不同掺Tb浓度的CaSrSiO4纳米荧光粉。TEM照片显示粉末颗粒为球状, 直径30~50nm。XRD主要衍射峰与CaSrSiO4基质基本一致, 表明Tb离子掺入对CaSrSiO4晶体结构影响较小。285nm紫外光激发下, 观测到强的紫外、蓝光和绿光等光谱, 优化掺Tb浓度为0.7%。最后用CO2激光器对CaSrSiO4∶0.3Tb3+荧光粉进行退火, 发现光谱增强50%以上。同时讨论了退火工艺参数对荧光粉光致发光特性的影响。

变形镜是自适应光学系统的关键元件, 它对波前像差的拟合能力决定了自适应光学系统的校正性能。文中从变形镜对Zernike单阶像差、组合像差以及闭环校正三个方面分析97单元变形镜的拟合能力。仿真结果表明, 当原始波前均方根的值为一个波长时, Zernike多项式前3~42阶残余波前像差的RMS小于0.4λ, 说明变形镜对Zernike的前3~42阶像差具有较好的拟合能力。变形镜对Zernike多项式组合相差拟合以及基于随机并行梯度下降算法的闭环校正结果表明, 当波前像差较小时, 像差基本得到完全拟合及校正, 当波前像差较大时, 如D/r0=20时, 残余波前像差的RMS值均小于0.14λ (初始RMS为0.63λ)。分析结果对97单元变形镜的实际应用提供了理论依据和使用参考。

利用88单元变形镜及电荷耦合器件成像器件,以扩展目标为校正对象,建立了带有噪声的无波前探测自适应光学系统模型。在噪声情况下,验证了扩展目标成像时掩模探测器信号和波前相位的平均梯度平方和之间存在线性关系。将基于此线性关系的算法作为无波前探测自适应光学系统的控制算法,通过仿真,检验了模型式无波前探测自适应光学系统在噪声情况下对扩展目标成像的校正能力。结果表明,相同湍流条件、不同信噪比下的校正效果接近。按照湍流条件从小到大的顺序,与信噪比为20 dB的结果相比,信噪比为5 dB时校正后的平均均方根相对误差分别为3.71%,2.94%和2.42%,说明基于该线性关系的模型控制算法具有较强的抗噪能力。

双光纤光阱利用两相向传输的光纤捕获微粒, 将微粒发射到光阱区域实现捕获是光纤光阱技术中的基本问题。提出一种利用光力实现自动捕获的双光纤光阱芯片, 以实现通光即捕获微粒的功能。通过几何光学模型对光阱芯片中不同物理量进行了分析比较, 选定了能够满足自动捕获要求的芯片参数, 如捕获室尺寸、光束对准精度及束腰半径等。理论与实验结果表明, 在选取最佳化参数的情况下, 芯片能够实现对微粒的自动稳定捕获。该光阱芯片作为光阱技术的一种便捷的工具, 可促进相关技术在生物医学领域提供更广泛的应用。

引入4种玻璃化温度不同的单体, 通过可逆加成-断裂链转移和引发转移终止剂活性自由基聚合相结合的方法制备出不同主链柔性的活性接枝大分子引发剂MI, 并用其制备了聚合物分散液晶膜, 研究了MI的主链柔性对接枝聚合物为基体的PDLC电光性能的影响。研究发现, 随着MI主链柔性增加, PDLC的关闭状态透光率、液晶微滴的粒径都是先减小后增大, 并都在大分子引发剂为RAFT-P(BMA-co-CMSI)时有最小值；阈值电压、饱和电压均呈现了先增大后减小的变化趋势；但是滞后的变化却表现出多元化, 这是由于滞后受到多种因素综合影响导致的。