硅灰和低水胶比会降低混凝土总孔隙率，但增加了混凝土自收缩，使其产生微裂纹。本文研究了掺入硅灰和减缩剂(SRA)对不同水胶比的混凝土自收缩和微观、宏观尺度孔径分布的影响。结果表明：掺入10%（体积分数）的硅灰会使混凝土自收缩增加27.3%~28.8%;而加入减缩剂使混凝土自收缩降低68.0%~85.1%，且对含有硅灰的混凝土样品降幅更大。此外，掺入硅灰和减缩剂可以使混凝土总孔隙率分别降低5.1%~6.0%和35.9%~39.7%，但硅灰会增大混凝土100 nm以下孔隙和100 μm以上孔隙的体积占比，而减缩剂对这两类孔隙的体积则会起相反作用。同时，自收缩与100 μm以上孔隙体积分数呈明显正相关关系。

提出了一种抗辐射加固12T SRAM存储单元。采用NMOS管组成的堆栈结构降低功耗，利用单粒子翻转特性来减少敏感节点，获得了良好的可靠性和低功耗。Hspice仿真结果表明，该加固SRAM存储单元能够完全容忍单点翻转，容忍双点翻转比例为33.33%。与其他10种存储单元相比，该存储单元的面积开销平均增加了3.90%，功耗、读时间和写时间分别平均减小了34.54%、6.99%、26.32%。电路静态噪声容限大且稳定性好。

随着物联网的快速发展, 智能终端设备在硬件资源和供电上受到较强限制, 迫切需要低功耗的新型运算单元。针对运算单元功耗高的问题, 提出了一种基于近似压缩器的低功耗近似乘法器, 用于图像处理、深度学习等可容错应用领域。实验结果表明, 相比于现有近似乘法器, 该近似乘法器降低了30.70%的功耗和26.50%的延迟, 节省了30.23%的芯片面积, 在功耗延迟积(PDP)和能量延迟积(EDP)方面均优化了43%以上。在计算精度方面同样具有一定优势。最后, 在图像滤波应用中验证了该近似乘法器的有效性。

针对薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display, TFT-LCD)边缘亮度偏低、出现暗带的不良现象，对不良机理及影响因子进行研究，并总结较优工艺条件。实验结果表明: 从液晶面板设计角度，均匀的边缘盒厚有助于提升边缘亮度均一性，故适中的液晶量、硅球尺寸、硅球掺杂比及较硬的封框胶其性能更优，同时贴附偏光片后的液晶面板越平坦其暗带程度越轻; 从背光源角度，模组成品的边缘暗带不良与背光源批次存在强相关性，但主要受背光源的平坦度等尺寸参数影响而非背光源自身的暗带程度。此外，老化工艺释放了背光源与液晶屏组装时产生的内应力，缓和边缘位置的形变，适当延长老化时间有利于降低边缘暗带不良发生率。通过以上较优条件的导入，成功改善了TFT-LCD显示器边缘暗带不良，有效地提升了产品竞争力。

基于相同点位分别测试了TFT白点色度均匀性(WCU)和各层氮化硅(SiNx)膜厚, 并分析了二者的关联性, 发现TFT WCU与栅极绝缘层(GI)和第二绝缘层(PVX2)两层的相关性较大, 而与厚度最薄, 折射率最大的第一绝缘层(PVX1)最不相关; 提出了降低GI层剩余厚度避免低速沉积GI(GL)的残留和降低PVX2膜层厚度以提升面内均一性的改善方案, 最终使得产品的TFT WCU均值降低约0.000 7; 最大值由改善前的0.007 0降至改善后的0.005 2, 满足了最大值≤0.005 5的目标值, 改善效果明显。