中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621900
针对电源电路抗γ总剂量辐射性能评估问题，建立了元器件和电路的性能模型，并搭建测试电路对模型进行了测试。开展了辐照敏感关键元器件的γ总剂量辐照试验，获取了元器件关键参数随γ累积总剂量变化的实验数据，将参数变化规律注入模型，开展了电源电路抗辐射性能仿真，获得了电路关键特征参数输出电压随累积总剂量的变化规律。采用裕量与不确定性量化(QMU)方法对电源电路的抗辐射性能进行评估，并与电路实际辐照实验结果进行对比，结果表明，QMU评估结果与实际实验结果保持了较好的一致性。
抗辐射性能评估 建模 电路仿真 不确定性量化 裕量与不确定性量化 radiation hardness evaluation modeling circuit simulation uncertainty quantification quantification of margins and uncertainties (QMU) 强激光与粒子束
2017, 29(11): 116003
1 西北核技术研究所, 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室， 西安 710024
2 上海航天电子技术研究所, 上海 201109
建立了一种基于状态分析的电子系统抗辐射能力评估方法，该方法以电子系统中单元器件的辐射效应实验数据为基础，采用行为级电路仿真方法对电子系统功能状态进行分析，并应用蒙特卡罗方法模拟辐射损伤随机性对系统功能状态的影响，最终结合系统功能阈值，给出系统功能的裕量及不确定度估计，进而对系统抗辐射能力进行评估。为了验证评估方法的可行性，应用该方法对某模数转换电子系统的抗γ总剂量能力进行了评估，并将评估结果与该电子系统的γ总剂量效应实验结果进行了对比。结果表明该评估方法能够定量给出系统功能在受到辐射损伤后的变化，评估方法给出结果与实验结果在变化趋势和评估结论上基本一致。
电子系统 抗辐射能力 评估方法 蒙特卡罗方法 不确定度量化 electronic system radiation hardness assessment method Monte Carlo simulation quantification of margins and uncertainties 强激光与粒子束
2016, 28(8): 28084001
