为了测量纳秒级前沿的电磁脉冲电场，研制了一种基于现场可编程门阵列（FPGA）的宽频带电磁脉冲电场测量系统，该系统采用单极子天线作为电场探头的接收天线，高速AD采集调理电路输出的电压信号，由FPGA接收AD采样的数据并保存至DDR2和FLASH存储器中；分析了系统的整体方案；对系统的信号调理、采集的触发方式、FPGA控制以及干扰屏蔽等关键技术进行了重点分析；通过电场探头、电磁脉冲模拟器、PTEM暗室、衰减器以及示波器进行了性能和功能验证实验；利用软件将电场探头和示波器测得的信号进行处理和对比；实验表明，所研制的电场探头可以测量前沿大于2.5 ns、电场强度为0~50 kV/m的脉冲电场，系统线性度好，体积小，抗干扰性能好,测量准确性高。

分析了实验室瞬态X射线产生的系统电磁脉冲(SGEMP)效应测试所面临的技术问题，提出了解决方法、措施以及实验室模拟瞬态X射线的SGEMP模拟试验方法。通过电子屏蔽、电磁屏蔽、光电隔离、信号对称提取等特殊技术处理，解决了SGEMP效应模拟试验方法和测量系统抗X射线、抗电磁辐射等技术问题，并在大型瞬态X射线模拟源上，测出了瞬态X射线辐照时金属腔内线缆的SGEMP效应波形及幅值。

采用了2种γ脉冲辐射源,在脉冲宽度分别约为20,50,150 ns,剂量率为106～109 Gy(Si)·s-1下,对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析,比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异。实验结果表明:脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素,γ脉冲宽度越宽,辐照响应越强,分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显。