作者单位
摘要
上海激光技术研究所
本文利用Ar~+激光倍频257.3nm进行扫描蚀刻Si、GaAs和Zn片,获得的最小光刻线宽为1.2μm,给出蚀刻深度与光强/扫描速度的关系曲线等参量,首次利用光刻技术估计卤素自由基的扩散系数、自由路程以及激光聚焦光斑大小,以及观察到阈值现象。
刻光 激光诱导化学 气相光刻 光分解光刻 
光学学报
1987, 7(1): 49
作者单位
摘要
上海市激光技术研究所
中国激光
1985, 12(6): 374
作者单位
摘要
上海市激光技术研究所
中国激光
1984, 11(10): 628

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!