用调Q YAG激光器的倍频光(λ=532.1 nm)在充有四氯化碳和苯乙醇混合液液芯光纤中观察到受激喇曼散射(SRS)和四波混频(FWM)现象,对各条谱线的频率进行了标定,并给出了一些理论分析。
受激喇曼散射 四波混频 液蕊光纤
本文首次用调QYAG激光器的倍频光(λ=532.1nm)在苯乙醇液芯光纤中产生受激喇曼散射,观察到了4阶斯托克斯线和2阶反斯托克斯线.讨论了引起红移为主的斯托克斯线展宽的原因.
液芯光纤 受激喇曼散射
本文使用乙基苯液芯光纤,获得高阶斯托克斯线,各阶线呈以红移为主的反常加宽。加宽后从一阶斯托克斯线至五阶斯托克斯线光谱联成一片,形成从562.1 nm至700 nm的连续超宽的相干辐射。
受激喇曼散射 乙基苯 超宽
1 上海激光技术研究所, 上海 200233
2 西北师范大学化学系, 兰州 730070
本文首次用激光作激励光源,在P型硅片上成功地进行了光电化学成像沉积,得到层次清晰的图像。该沉积系统可望作为一种新的可擦除图像记录器。同时本文对该体系的液-固结特性进行了研究,对影响成像沉积质量的因素进行了讨论。
光电化学 成像记录器
本文通过理论计算和实验测量了CW CO2激光辐照下石英基片的表面温度分布及其上升过程,并用此结果分析了CW CO2激光热解W(CO)6在石英片上沉积大面积钨膜的实验.
激光 气相沉积 表面温度
1 上海市激光技术研究所, 上海 200233
2 上海科技大学物理系, 上海 201800
利用激光诱导化学镀技术,首次在硅片上沉积出金属镍。研究了沉积速率与各实验参量的关系,并对积沉斑的形状进行了分析和讨论。
激光 化学镀
本文报道用激光诱导表面化学反应沉积金属膜的一种新实验结果。用OWCO02激光诱导硅片表面的Ni2O3与硅片衬底反应沉积镍膜,一步形成Ni-SiO2-Si的准MOS结构。用多种表面分析方法对膜层的成份,性能进行测试分析,并讨论了膜的生长机制。
表面化学 准MOS结构
1 上海激光技术研究所
2 中国科学院上海有机化学所
本文研究用308 nm XeCl准分子激光诱导氧化反应分离铈,用X射线荧光谱的相对值作定量标定,获得了各种溶液参量下铈的分离速率.在铈与镧的混合液中获得分离系数β=5.6.
激光诱导 铈 分离速率
提出一种生成难熔金属硅化物的新方法,用CO2激光诱导氧化物-铝粉热化学反应在多晶硅表面获得Ni和NiSi2膜.AES和XPS分析给出膜层的组分和深度浓度分布.通过对实验参量的分析认为,不同终相的形成与共晶过程有关.
薄膜 硅化物 激光诱导铝热反应
采用Ar+激光对Ge等半导体材料进行了光刻研究。实验发现存在两种阈值, 表面扫描光刻具有较低的阈值, 刻穿则要求更高的光强。刻蚀速率随着深度的增加而减小, 高掺杂半导体的光刻速率大于低掺杂样品。
