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激光器件与激光物理
激光诱导气相热化学光刻的阈值及速率变化特性
李丁 1邱明新 1匡忠 2
作者单位
摘要
1 上海市激光技术研究所
2 西安电讯工程学院
采用Ar+激光对Ge等半导体材料进行了光刻研究。实验发现存在两种阈值, 表面扫描光刻具有较低的阈值, 刻穿则要求更高的光强。刻蚀速率随着深度的增加而减小, 高掺杂半导体的光刻速率大于低掺杂样品。
PDF全文 Full Text
中国激光
1987, 14(10): 614
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