东北师范大学 紫外光发射材料与技术教育部重点实验室, 吉林 长春 130024
利用湿化学方法制备合成ZnO量子点, 通过改变合成条件(反应时间、反应物浓度、反应温度)对量子点的尺寸及发光性能进行调控。利用透射电子显微镜、吸收光谱、荧光光谱等表征手段, 探讨了合成条件对ZnO量子点光学性质的影响, 并优化出适用于构建白光LED器件的最佳合成条件。研究结果表明, 在反应温度为20 ℃、反应时间为3 h、前驱体Zn(OAc)2和LiOH反应浓度比为2∶1时获得的ZnO量子点较为稳定, 并在紫外光激发下发出明亮的黄绿色光。在此基础上, 以该ZnO量子点为有源层、p-GaN∶Mg基片为空穴注入层、非晶Al2O3薄膜为电子阻挡层构造了p-i-n型异质结LED, 在正向注入电流为5 mA时, 获得了来自于器件的白光发射, 其色坐标为(0.28,0.30), 色温为9 424 K。
ZnO量子点 黄绿光发射 湿化学法 ZnO量子点/Al2O3/p-GaN异质结构 白光LED ZnO QDs yellow-green emission wet chemistry method ZnO QDs/Al2O3/p-GaN heterostructure white-LED
东北师范大学 紫外光发射材料与技术教育部重点实验室, 吉林 长春 130000
利用化学气相沉积法(CVD), 在不同压强下分别得到β-Ga2O3纳米线(NWs)和纳米带(NBs)。研究结果表明, 获得的NWs与NBs均为单斜结构的β-Ga2O3, 且NWs结晶质量优于NBs。在阴极射线发光(CL)光谱中, 发现NWs与NBs在近紫外和蓝光波段有较强的发光。对比NWs与NBs的CL光谱, 推断β-Ga2O3在374 nm和459 nm的近紫外和蓝色发光峰分别来自于Ⅰ型和Ⅱ型氧空位(VO(I)和VO(Ⅱ))的缺陷复合。
化学气相沉积 阴极射线发光 氧空位 chemical vapor deposition method β-Ga2O3 β-Ga2O3 cathode luminescence(CL) oxygen vacancies
1 东北师范大学理论物理研究所, 长春 130024
2 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室, 长春 130021
利用一种共蒸发及后退火的方法制备出包埋在氧化镁薄膜基质中的氧化锌量子点。经过退火之后进行的X射线衍射(XRD)实验表明了氧化锌的形成。在室温条件下, 经过900 ℃和1000 ℃退火的样品的光致发光(PL)谱中在375 nm附近表现出强的紫外光发射。从77 Κ到室温的变温光致发光谱的结果表明限制在氧化镁基质中的氧化锌量子点具有比较大的激子束缚能。此外,还讨论了退火温度和发光性质的关系。
氧化锌量子 氧化镁薄膜 光致发光 后退火
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态重点实验室, 长春 130021
2 哈尔滨师范大学物理系, 哈尔滨 150080
报道了利用低压金属有机汽相外延(LP-MOCVD)工艺首先在硅(n-Si衬底上生长硫化锌(ZnS)薄膜,然后将 硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化,制备高质量的纳米氧化锌(ZnO)薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,氧化锌具有六角纤锌矿型结构且具有择优(002)取向。在900 ℃退火的样品的光致发光(PL)中, 观察到一束强 的380 nm紫外光致发光和相当弱的深能级发射。紫外发光强度与深能级发射强度之比是28,表明纳米ZnO薄膜的高质量结晶。
纳米 热氧化 薄膜 光致发光 近带边发射 自由激子
