激光冲击强化是一种先进的材料表面抗疲劳制造技术，本文采用正交试验方法研究了激光冲击2050铝锂合金表面残余应力分布规律，获得了优化的激光冲击参数，并在此参数下验证了疲劳寿命增益。研究结果表明：激光冲击强化诱导的残余应力与试样的几何特性相关性较强，而激光冲击参数本身搭接率对残余应力的影响大于激光能量、大于冲击次数，最佳工艺参数为激光功率密度5.30 GW·cm^-2、搭接率50%、2次冲击。采用此参数冲击后260 MPa和200 MPa应力水平下疲劳寿命分别提高了22%和63%。

利用峰值波长分别为460、525、625、730、850、940 nm 的6 种大功率LED 研制了一款LED 太阳模拟器。LED 太阳模拟器的光源在满足有效辐照面上1 个太阳辐照强度的同时，还达到光谱匹配的A 级标准。在设计中，辐照不均匀度指的是6 种波长LED 组合下的光源在有效辐照面上能量的不均匀性。为了降低LED 太阳模拟器在有效辐照面上的辐照不均匀度，在设计过程中结合LED 发光角度大的光学特点，针对性的采用能够实现多次聚光的光学系统，通过对LED 阵列光源的控制，实现160 mm×160 mm 有效辐照面积上辐照不均匀度的A 级标准。根据国际标准，该LED 太阳模拟器达到AAA 级太阳模拟器的标准。

设计了一款以大功率LED作为光源的针对光伏性能测试的太阳模拟器光学系统。利用不同峰值波长的LED作为模拟器的光源并介绍了光谱匹配方法。根据LED发光特点，选取同轴透射式准直光学系统，系统由大功率LED、准直系统、菲涅耳透镜、光学积分器、光阑等光学器件组成。准直系统采用全内反射自由曲面透镜，光学积分器采用对称式透镜阵列结构。系统采用光学仿真软件TracePro进行模拟，模拟结果表明:在直径为220 mm的有效辐照面上辐照度不均匀度为3.8%，准直角为3.2°。

本文研究了甲烷流量对作为工业非晶硅光伏组件的p层材料—非晶碳化硅结构和光学性质的影响.p层非晶碳化硅薄膜采用硅烷和甲烷混合气体在射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)设备中沉积制得，该设备是应用材料公司制造的尺寸为2.2 m × 2.6 m的8.5代系统.采用红外光谱和透射/反射谱分析与沉积工艺相关的键结构和光学性质.相同工艺条件下，当甲烷含量从3000 sccm增加到8850 sccm, p层非晶碳化硅薄膜的光学带隙逐步增加. p层非晶碳化硅薄膜的沉积速率随甲烷流量的增加而逐渐减小，其原因是硅烷-甲烷等离子体中SiH3粒子的减少.文中还通过在不同位置取样和分析沉积速率研究了大面积薄膜的均匀性.

采用全量子理论，考虑了边界振动的含克尔介质的微腔(振动边界视为频率为ωm的量子谐振子)与单模辐射场构成的系统，给出了系统的时间演化算符及其变换， 得到了系统态函数随时间的演化关系。讨论了当振动边界回到初态时的腔场态，得到了许多与已有文献不同的薛定谔猫态，这对于研究猫态的性质和应用是十分有意义的。

利用周期轨道理论,我们计算了在不同情况下,一个粒子在二维谐振子势中存在和不存在磁通量时的量子能级密度.重点讨论了磁通量对量子能级密度的影响.计算结果表明:当二维谐振子势的频率比值是有理数时,量子能级是分立的,能级密度中的每一条峰正好对应一个量子能级.然而,当频率比是无理数时,能级密度发生振荡,当加上磁通量后,振荡减小.这可以看作是Aharonov-Bohm效应的结果.

The coupled equation method (CEM) has been applied to investigating the resonance structures for the ground state 1s2 2s 2S of the neutral lithium from the first threshold up to 64.5 eV. Resonance structures of atomic lithium due to single excitations of the 1s and 2s electrons are studied by infinite-order calculations in detail. The effect of spin-orbit splitting is also included for some of the low-lying 1s 2s np resonance, and the influence of the interference between 1s 2s 3S np and 1s 2s 1S np states on the resonance structure has been confirmed theoretically. The results show that the presented technique can give the reasonable resonance structures very well in photoionization processes.

利用我们提出的普遍适用的精确光电离截面公式和介电影响函数研究了原子光电离共振结构受粒子数密度影响的效应。结果表明用新的光电离截面公式可以直接处理宏观环境对截面的影响，明显地优于孤立原子光电离截面公式。