1 重庆市勘测院, 重庆 401121
2 重庆市地理国情监测工程技术研究中心, 重庆 401121
3 重庆交通大学土木工程学院, 重庆 400074
点云配准是地面三维激光扫描数据处理的重要环节。面向地形起伏较小的场景,提出了一种基于投影分布熵的地面激光点云自动配准方法,利用信息熵对点云投影分布的集中程度进行描述,并寻找点云间的最佳分布进行粗配准,以此作为迭代最邻近点算法的初始值进行精配准。相对于基于特征的自动配准方法,该方法主要关注点云整体分布的一致性。实验表明,该方法具有较高的稳定性和成功率,尤其在点云场景出现较大视角变化或包含较多重复、对称结构时具有良好的配准结果。
机器视觉 点云配准 地面激光扫描 信息熵 二维投影 激光与光电子学进展
2019, 56(13): 131501
利用开孔Z扫描技术研究了吸收峰分别为553 nm和503 nm的两种尺寸CdSe/ZnS核-壳结构量子点溶液的非线性吸收性质.对于532 nm，6 ns激光脉冲，两种材料均表现出饱和吸收向反饱和吸收转化的现象.数值模拟结果表明：当吸收峰波长大于激光波长时，饱和吸收过程由快、慢两种机制组成，分别对应基态载流子被激发至不同的激发态，而强光下的反饱和吸收与快过程相关；当吸收峰波长小于激光波长时，饱和吸收主要由快过程机制引起，强光下的反饱和吸收源自激发态吸收和双光子吸收.我们的研究结果表明半导体量子点是研制光开关和光限制器件的理想候选材料.
非线性光学 非线性吸收 量子点 Z-扫描 Nonlinear optics CdSe/ZnS CdSe/ZnS Nonlinear optical absorption Quantum dots Z-scan technique
利用飞秒时间分辨圆偏振光抽运探测饱和吸收技术,研究了典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体InP和Ⅱ-Ⅵ族半导体CdTe的电子自旋弛豫动力学过程。实验结果表明,CdTe的自旋弛豫过程比InP快,只有几个皮秒。随着激发光子能量的增加,自旋弛豫时间常数单调减小;但是随着载流子浓度的增加,自旋弛豫时间常数先增加到达最大值后再减小。这一实验结果和考虑库仑相互作用的全微观动力学自旋布洛赫方程的理论预言一致。
半导体 电子自旋弛豫 时间分辨抽运探测 DP机制 激光与光电子学进展
2010, 47(7): 073201
采用抽运-探测反射技术, 研究了室温下本征CdTe晶体的光致非平衡载流子布局与光子能量和抽运光强的关系。根据实验结果, 发现随着抽运光光子能量的提高, 快过程在载流子弛豫过程中所占的比例增大; 随着抽运光功率的提高, 反射率随之增大, 快过程时间常数也随之增大。通过建立简单的本征半导体受激载流子弛豫过程模型, 讨论了载流子散射、载流子-声子相互作用和载流子复合等的贡献。在抽运光光子能量为1.49 eV(比CdTe的禁带宽度约高20 meV)时, 通过双指数函数拟合, 得到了本征CdTe中载流子弛豫过程的快、慢时间常数, 分别为2.8 ps和158.3 ps。
超快光学 载流子动力学 抽运-探测技术 本征CdTe
1 西安交通大学微电子研究所,西安,710049
2 西安理工大学理学院,西安,710048
3 西北大学信息科学与技术学院,西安,710068
用B3LYP-DFT方法对GanN2(n=1～7)和GanN(n=2～8)团簇的结构与稳定性进行了研究.在6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanN2(n=1～7)和GanN(n=2～8)团簇的基态结构.在GanN(n=2～8)团簇的基态几何结构中,N原子处在分子结构的中心;在GanN2(n=1～3)团簇中,N-N键比Ga-N键强;在GanN2(n=4～7)团簇中存在Ga3N单元和Ga4N单元.在GanN2(n=1～7)和GanN(n=2～8)团簇中,Ga4N2,Ga6P2,Ga3N,Ga5N和Ga7N较其它团簇稳定.
GanNm团簇 密度泛函理论(DFT) 结构 稳定性 GanNm clusters density functional theory (DFT) structures stability 原子与分子物理学报
2007, 24(3): 477
1 西安理工大学理学院, 西安 710048
2 西北大学电子信息科学与工程学院, 西安 710069
利用密度泛函理论中的B3LYP方法,在6-311G(d)基组上对Sin-1N和Sin-2N2(n=3～8)阴阳离子团簇的几何结构和光电子能谱进行了系统研究。结果得到了各团簇的最稳定结构, Sin-2N2离子团簇对称性比Sin-1N离子团簇对称性好; Sin-1N(n=3～8)离子团簇的几何结构在总原子数n≤4时为平面结构,n>4时为立体结构;Sin-2N2(n=3～8)离子团簇的几何结构在总原子数n≤6时为平面结构,n>6时为立体结构;对于Sin-1N+团簇,总原子数是偶数的团簇比总原子数为奇数的团簇稳定;对于Sin-1N-及Sin-2N2阴阳离子团簇,总原子数是奇数的团簇比总原子数为偶数的团簇稳定。
离子团簇 密度泛函理论 结构与稳定性
1 山东轻工业学院数理学院,山东,济南,250100
2 曲阜师范大学物理工程学院,山东,曲阜,273165
3 上海大学理学院,上海,200444
研究了负P表示非经典光场的Wehrl熵和Shannon熵与场参数m和平均光子数(-n)的关系,结果显示,负P表示的非经典光场的Wehrl熵随着场参数m和平均光子数的增大而减小,当(-n)增大到一定程度时Wehrl熵趋向于一个不变的常数.用数值计算的方法研究了负P表示光场的Shannon熵与平均光子数(-n)的关系,结果表明,Shannon熵随着场参数m和平均光子数(-n)的增大而增大.同时发现,Wehrl熵随光场总噪声的增大而减小,Shannon熵随力学量起伏的减小而减小.
负P表示 非经典光场 Wehrl熵 Shannon熵
1 西安交通大学微电子研究所,西安,710049
2 西安理工大学理学院,西安,710048
3 西北大学电子系,西安710068
本文利用密度泛函理论(DFT)对GanP-(n=2-7)和GanP-2(n=1-6)阴离子团簇的几何结构、电子态及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanP- (n=2-7)和GanP-2(n=1-6) 团簇的基态结构.这些阴离子团簇的几何结构随着n的增大,在n=5时由平面结构转化为立体结构;在GanP-2(n=1-6)团簇中,P-P比Ga-P容易成键;在GanP-(n=2-7)和GanP-2(n=1-6)阴离子团簇中,Ga3P-2, Ga4P-2, Ga5P-2和Ga6P-的基态结构最稳定.
GanP-m阴离子团簇 密度泛函理论(DFT) 几何结构 原子与分子物理学报
2006, 23(2): 279
