采用抽运-探测反射技术, 研究了室温下本征CdTe晶体的光致非平衡载流子布局与光子能量和抽运光强的关系。根据实验结果, 发现随着抽运光光子能量的提高, 快过程在载流子弛豫过程中所占的比例增大; 随着抽运光功率的提高, 反射率随之增大, 快过程时间常数也随之增大。通过建立简单的本征半导体受激载流子弛豫过程模型, 讨论了载流子散射、载流子-声子相互作用和载流子复合等的贡献。在抽运光光子能量为1.49 eV(比CdTe的禁带宽度约高20 meV)时, 通过双指数函数拟合, 得到了本征CdTe中载流子弛豫过程的快、慢时间常数, 分别为2.8 ps和158.3 ps。
超快光学 载流子动力学 抽运-探测技术 本征CdTe
