北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子实验室, 北京 100022
采用微机械表面加工技术,成功设计并研制出具有GaAs基微光机电系统(MOEMS)悬臂梁结构的可调谐微腔发光二极管。对其工作特性进行了分析,测量得到悬臂梁载荷-位移关系曲线,并对微光机电系统悬臂梁可调谐微腔发光二极管进行调谐光谱测量。实验结果表明,在直流电流40 mA,调谐电压范围4～22 V时,波长从974.5 nm蓝移至956.9 nm,室温下波长调谐最大达到17.6 nm。在实验基础上,采用有限元方法对具有分布布拉格反射镜(DBR)结构的悬臂梁动力学特性进行了研究,模拟结果与实验结果吻合较好。当悬臂梁长度为400 μm时,最大位移达到411 nm,最大调谐电压达到24 V。
光学器件 可调谐微腔光子器件 微光机电系统 悬臂梁 有限元
北京工业大学,光电子技术实验室,北京,100022
利用金属有机物气相淀积生长了980 nm GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器物质,通过常规工艺制成国际标准的1 cm半导体激光器线阵列.隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关系,对出光功率等重要参数有着较大的影响.通过隔离槽变深度实验,发现在不超过有源层的前提下,输出功率和斜率效率与隔离槽深度均成正比,阈值电流与隔离槽深度成反比,隔离槽深度过深即超过有源层会导致激光器线阵列的主要参数下降,从而最佳腐蚀深度应不超过有源层,本实验为1.993 μm.
半导体激光器线阵列 电流扩展 隔离槽 腐蚀深度
GaN基LED的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状N电极和普通电极进行了比较，在外加正向电流为20mA时，正向电压减小了6%，总辐射功率也略有提高，工作50小时后，总辐射功率相差8%，验证了环状N电极结构有利于器件电流扩展，减少器件串联电阻，减少了焦耳热的产生，提高了LED电光特性和可靠性。
光电子学 固态照明 环状N电极 总辐射功率 电流扩展 optoelectronics solid state lighting ring-N-electrode current expansion total radiation power
通过对一种微分量子效率可以大于1的新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,以及由此设计出的阈值电流更小、输出功率更大的器件与普通结构在反射率及注入电流都相同的条件下输出功率大小的比较及阈值电流密度大小的比较,从而在理论上证实了这种VCSELs新型结构的优势.
多有源区 隧道再生 DBR反射率 VCSELs
本文通过提出具有优点为微分量子效率可以大于1的一种新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,可得到阈值电流更小、输出功率更大的器件.同时,通过对这种器件功率效率的分析,总结出针对这种新型结构的以固定工作电流及串联电阻为参数的最优化DBR反射率公式,并且就功率效率与工作电流、串联电阻及反射率的关系进行了讨论,这将对器件的合理设计以及器件制备具有实质性的指导作用.
多有源区 隧道再生 功率效率 multiple-active-region tunneling-regenerated VCSELs VCSELs wall-plug efficiency
北京工业大学电子系和北京光电子技术实验室, 北京 100022
对多横模复折射率波导，提出了一个将实折射率数值法、微扰法和打靶法有机结合起来的RPS法，该方法简单实用，求解速度快，精度高，无须在整个复平面上寻找导波模式的复传播常数。通过五层平板波导计算表明，该方法可以精确地求得复折射率波导的所有TE和TM模式。
波导 复折射率 多横模 数值求解
