作者单位
摘要
1 河北理工大学 信息学院,河北 唐山 063009
2 中国科学院半导体研究所 纳米光电子实验室,北京 100083
在980 nm波长的大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的基础上制备了高输出功率的微小孔阵列半导体激光器,其最大输出光功率达到了1 mW。介绍了针对微小孔阵垂直腔面发射激光器的特殊制备工艺,并对其特性进行了分析。
激光器 近场光学 垂直腔面激光器 输出光功率 时域有限差分法 
激光与光电子学进展
2010, 47(5): 051401
作者单位
摘要
1 河北理工大学 信息学院,河北 唐山 063009
2 中国科学院 半导体研究所 纳米光电子实验室,北京 100083
在普通850 nm 垂直腔面发射激光器基础上制备出带有金属纳米颗粒结构的微小孔径垂直腔面发射激光器。当小孔和金属颗粒的直径分别为400 nm 和100 nm 时,其最大输出光功率达到0.5 mW。介绍了该器件的制备工艺,从实验和理论两方面验证了金属纳米颗粒结构激发局域表面等离子体,从而使输出光功率得到提高。
激光器 局域表面等离子体 金属纳米颗粒 输出光功率 时域有限差分法 
激光与光电子学进展
2010, 47(4): 041401

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