有研科技集团, 有研国晶辉新材料有限公司, 三河 065201
本文介绍了ZnSe晶体的制备方法及其重要应用背景, 系统地总结了化学气相沉积法(CVD)制备ZnSe过程中产生的各类缺陷, 包括云雾、孔洞和微裂纹、 夹杂、分层和胞状物。采用SEM、体视显微镜、金相显微镜、傅里叶光谱仪等方法对缺陷进行了表征。结合国内外文献和检测结果, 对各类缺陷可能的产生机 理及抑制方法进行了阐述与分析。
化学气相沉积法(CVD) 缺陷 chemical vapor deposition(CVD) ZnSe ZnSe defect
1 北京有色金属研究总院 有研国晶辉新材料有限公司, 河北 三河 065201
2 北京有色金属研究总院 有研新材料有限公司, 北京100088
实验采用化学气相沉积方法制备硫化锌体材料(CVD-ZnS), 并对材料中普遍出现的胞状生长现象进行了系统研究。通过微观结构表征及宏观形貌分析, 发现胞状生长起始于大尺寸的晶体生长中心, 其内部晶粒的生长方向发生了横向偏移, 且生长速率大于正常晶粒, 最终导致了产物表面的球状凸起, 产物侧剖面表现出 “倒圆锥”状生长形貌。同时, 依据实验中所出现的不同胞状生长现象, 探究了胞状物异常生长中心形成的主要原因。在此基础之上, 设计了不同条件的沉积实验, 探究了各类胞状生长现象的抑制方法, 并在实际生产过程中得到了验证, 从而实现了对该异常现象的有效抑制。
胞状生长 抑制方法 微观结构 CVD-ZnS CVD-ZnS nodular growth counteracting methods microstructure 红外与激光工程
2018, 47(11): 1121001
