1 北京工业大学 光电子实验室, 北京 100022
2 昆明物理研究所, 昆明 650223
采用传输矩阵法和图解法对InAs/GaSb二型超晶格的能带结构参数进行了理论计算, 确定量子阱宽、垒宽、垒高、响应波长等参数。针对不同的结构, 采用传输矩阵法和图解法得到不同的响应波长, 与实际波长相比较, 分析了两种算法的优劣之处。结果表明：采用传输矩阵法计算得到的子能带位置进而推算得到的响应波长与实际波长更吻合, 而图解法由于本身的局限性, 对超晶格结构中能带的计算会带来一定的偏差。
Ⅱ型超晶格 传输矩阵法 图解法 typeⅡ superlattices transfer matrix method graphic method
使用柱坐标的传输矩阵法计算并分析了在反谐振反射光波导(ARROW)型垂直腔面发射激光器(VCSEL)中，不同的第一包裹层厚度对应的基模和一阶横模的侧向辐射损耗。与传统平板近似的方法相比，该方法更为精确地计算出了损耗的值，同时更为详细地表明了损耗随第一包裹层厚度变化的规律。并且指出第一包裹层的最佳厚度并不一定是传统认为的使基模得到反谐振效果即侧向辐射损耗最小时的值，而需要综合考虑基模和一阶模的侧向损耗。这对ARROW型VCSEL的设计具有重要的指导意义。
激光器 侧向辐射损耗 传输矩阵法 反谐振反射光波导 垂直腔面发射激光器 lasers lateral radiation losses transfer matrix method antiresonant reflecting optical waveguide (ARROW verticalcavity surfaceemitting laser (VCSEL)
