1 中国科学技术大学 合肥微尺度物质科学国家实验室, 安徽 合肥 230026
2 中国科学技术大学物理系 中科院强耦合量子材料物理重点实验室, 安徽 合肥 230026
3 美国加州大学圣迭戈分校物理系, 美国 加州 拉荷亚 92093
铝酸镧/钛酸锶(LaALO3/SrTiO3)异质界面被发现具有二维导电性并呈现出其他一些有趣的呈展现象.而此前, LaAlO3/SrTiO3异质界面的导电性主要都是通过电学方法进行表征.这里作者首次提出利用散射式扫描近场光学显微镜 (s-SNOM) 对LaAlO3/SrTiO3界面的导电性进行空间成像, 这为研究过渡金属氧化物异质界面体系的物理现象提供了一个新的手段.
过渡金属氧化物异质界面 铝酸镧/钛酸锶 界面导电性 散射式扫描近场光学显微镜 transition metal oxide heterointerface LaAlO3/SrTiO3 interfacial conductivity s-SNOM
1 湖北工业大学 太阳能高效利用湖北省协同创新中心, 湖北 武汉 430068
2 湖北工业大学 电气与电子工程学院, 湖北 武汉 430068
3 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室, 安徽 合肥 230026
4 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
采用Au催化的固-液-气(VLS)方法制备了单晶Bi2Se3和Bi2(TexSe1-x)3 纳米线, 研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi2(TexSe1-x)3(x=0.26)纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应, 说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.结果表明, Te掺杂可以有效抑制体电导对输运过程的影响.通过对不同温度下的磁电导曲线进行拟合, 得到了电子的退相干长度lφ , lφ 从1.5 K时的389 nm减小至20 K时的39 nm, 遵循lφ∝T-0.96指数变化规律.分析表明, 在Te掺杂样品的输运过程中, 电子-电子散射和电子-声子散射均起到了十分重要的作用.
拓扑绝缘体 Bi2Se3纳米线 反弱局域 退相干长度 topological insulator Bi2Se3 nanowires weak antilocalization dephasing length
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
2 华东师范大学 信息科学技术学院 极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200062
3 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
利用液相外延法制备了Hg0.77Cd0.23Te薄膜样品, 在对样品的低温磁输运测试中观察到反局域效应, 说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.通过Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)局域模型加上Drude电导模型拟合磁电导曲线, 得到了电子的退相干时间和自旋-轨道散射时间.研究结果表明, 电子的退相规律符合Nyquist退相机制.
反局域 退相干时间 自旋-轨道耦合 antilocalization phase coherence time spin-orbit interaction
