1 华北理工大学 机械工程学院, 河北 唐山 063210
2 中国科学院 国家纳米科学中心 中国科学院纳米标准与检测重点实验室, 北京 100190
3 中国科学院 电工研究所 北京市生物电磁学重点实验室, 北京 100190
4 中国科学院大学, 北京 100049
为提高计量型扫描电镜位移系统的稳定性及测量精度, 对位移系统中的机械位移台进行仿真分析, 获取相关振动参数。依据机械位移台工况建立模型, 运用有限元方法对它进行静力及模态分析, 获取机械位移台系统结构的振动参数; 在模态分析的基础上对机械位移台进行谐响应分析, 获取外界载荷频率与位移台上平面应力、应变、变形以及加速度之间的关系。机械位移台的静刚度为6.634×105 N/mm; 水平X, Z两运动方向的耦合比分别为15.22%和17.63%; 通过上层平面振动参数关于频率的响应曲线, 得出危险频率为7 750 Hz左右, 即第8阶固有模态下的频率。X, Z两运动方向耦合较为明显, 在对机械位移台进一步改进中, 避开危险频率的同时, 需对其进行位移补偿。
计量型扫描电子显微镜 微位移台 振动 耦合位移 有限元分析 metrological scanning electron microscope micro-displacement platform vibration coupling displacement finite element analysis
南开大学 泰达应用物理学院 弱光非线性教育部重点实验室， 天津 300457
利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77~300 K温度范围内的发光特性。随着温度T的升高，PL峰位向低能方向移动。在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂。通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-xAs/GaAs量子阱带隙能量的影响。在Varshni公式基础上，引入由应力导致的带隙能量变化项ΔEg。带隙能量计算结果与实验数据吻合较好。通过不同温度下光致发光半峰全宽的变化验证了应力随温度变化对量子阱发光峰的影响。
分子束外延 应变量子阱 变温光致发光 MBE InGaAs/GaAs InGaAs/GaAs strained quantum wells variable-temperature photoluminescence
