南开大学 泰达应用物理学院 弱光非线性教育部重点实验室， 天津 300457
利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77~300 K温度范围内的发光特性。随着温度T的升高，PL峰位向低能方向移动。在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂。通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-xAs/GaAs量子阱带隙能量的影响。在Varshni公式基础上，引入由应力导致的带隙能量变化项ΔEg。带隙能量计算结果与实验数据吻合较好。通过不同温度下光致发光半峰全宽的变化验证了应力随温度变化对量子阱发光峰的影响。
分子束外延 应变量子阱 变温光致发光 MBE InGaAs/GaAs InGaAs/GaAs strained quantum wells variable-temperature photoluminescence
1 南开大学 弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室，天津 300457
2 中国科学院 半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083
介绍了光抽运半导体垂直外腔面发射激光器的结构特点、设计原理及其性能优势，综合评述该领域的最新研究进展，并探讨该类型激光器的发展前景和技术发展方向。
光电子学 垂直外腔面发射激光器 光抽运 分布布喇格反射镜 超短脉冲 optoelectronics vertical-external-cavity surface-emitting laser(VE optical pumping distributed Bragg reflector(DBR) ultra short pulse
1 天津市南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室, 天津 300457
2 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室, 北京 100083
3 上海800-211信箱 上海 201800
对分子束外延(MBE)自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜(AFM)对量子点形貌观察的结果，分析了InAlAs量子点生长过程中尺寸、密度和均匀性的改变，并研究了三维岛的结构对拉曼谱线的影响。对InAlAs淀积厚度不同样品的拉曼谱分析表明，岛状结构的尺寸横纵比与类GaAs LO模和类AlAs LO模的半高全宽有密切关系。不同偏振下的拉曼实验证实了该结构中的光学声子在Z(X,X)Z偏振条件下为非拉曼活性。
光电子学与激光技术 量子点 拉曼散射 声子 互混效应
