1 福州大学 先进制造学院,福建 晋江 362200
2 中国科学院半导体研究所,北京 100083
利用前后向有限差分算法，对锑化物带间级联激光器有源区结构InAs/GaSb/AlSb的电子态进行了理论计算与分析。研究了哈密顿量算符序、有效质量参数修正、内界面态对结构能态及波函数的影响。分析表明，导带有效质量参数取正值可以在两种算符序下有效抑制伪解产生，Burt-Foreman算符序下的跃迁能量更为合理。对于内界面采用缓变假设后，其跃迁能量计算值略高于陡变界面下的计算结果，二者的波函数在界面附近差异不明显。
带间级联激光器 8带包络函数模型 有限差分算法 算符序 界面 inter-band cascade lasers eight band envelope-function model finite difference method operator order interface
1 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室, 北京 100083
2 中国科学院半导体研究所新材料中心, 北京 100083
运用X射线衍射仪和拉曼光谱仪, 测量了物理气相输运(PVT)方法生长的AlN多晶材料的X射线衍射和常温拉曼光谱。常温拉曼光谱研究了晶界、晶面方向与拉曼频率的关系, 观察到了E和E峰位基本不随测量位置变化, 与晶界无关, 但是E1(TO), A1(LO)和Quasi－LO声子峰位却明显与晶界有关, 为研究晶粒间、晶粒内应力提供了有效手段。
AlN多晶 X射线衍射 拉曼光谱 Poly-crystalline AlN X-ray diffraction Raman spectrum
中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室, 北京 100083
本文通过分析A面(11-20)ZnO薄膜的低温PL(光致发光)光谱偏振特性来研究ZnO光致发光谱中杂质峰的来源。低温(4 K)下观察到476、479 nm两处新的杂质峰以及390 nm处激子峰, 根据两个杂质峰的偏振特性, 初步判定476nm峰来源于氧空位能级到价带轻空穴的跃迁, 479 nm峰来源于氧空位价带重空穴的跃迁。
偏振PL谱 非极性面 杂质 Photoluminescence polarization Ｎon-polarized plane Ｉmpurities
1 天津市南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室, 天津 300457
2 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室, 北京 100083
3 上海800-211信箱 上海 201800
对分子束外延(MBE)自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜(AFM)对量子点形貌观察的结果，分析了InAlAs量子点生长过程中尺寸、密度和均匀性的改变，并研究了三维岛的结构对拉曼谱线的影响。对InAlAs淀积厚度不同样品的拉曼谱分析表明，岛状结构的尺寸横纵比与类GaAs LO模和类AlAs LO模的半高全宽有密切关系。不同偏振下的拉曼实验证实了该结构中的光学声子在Z(X,X)Z偏振条件下为非拉曼活性。
光电子学与激光技术 量子点 拉曼散射 声子 互混效应
