中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室, 北京 100083
本文通过分析A面(11-20)ZnO薄膜的低温PL(光致发光)光谱偏振特性来研究ZnO光致发光谱中杂质峰的来源。低温(4 K)下观察到476、479 nm两处新的杂质峰以及390 nm处激子峰, 根据两个杂质峰的偏振特性, 初步判定476nm峰来源于氧空位能级到价带轻空穴的跃迁, 479 nm峰来源于氧空位价带重空穴的跃迁。
偏振PL谱 非极性面 杂质 Photoluminescence polarization Ｎon-polarized plane Ｉmpurities
