桂林理工大学 材料科学与工程学院，广西 桂林 541004
以单质硫-乙二胺混合液作为前驱体，采用简单的一步溶剂热法制备了高荧光效率的硫量子点（SQDs）。制得的SQDs具有优异的水溶性，其粒径范围为1.6~3.8 nm，呈现近单分散尺寸分布。SQDs的发射峰不随激发波长的改变而变化，当激发波长为340 nm时其显示出最强的荧光，荧光量子产率可达87%。同时，该SQDs还具有良好的荧光稳定性，改变溶液的pH或室温静置1个月，其荧光强度都没有明显降低。进一步的性能研究发现，该SQDs可以作为一种高灵敏度和高选择性的荧光探针来检测对硝基苯酚（4-NP），这是由于4-NP与SQDs之间存在内滤效应，4-NP能够有效猝灭SQDs的荧光。当4-NP浓度在2~85 μmol/L 范围内时，SQDs的相对荧光强度（I/I0）与4-NP的浓度呈现良好的线性关系，检测限达到了73.4 nmol/L。真实水样检测结果也证实该SQDs可以有效检测环境中的4-NP。
硫量子点 荧光探针 检测 对硝基苯酚 内滤效应 sulfur quantum dots fluorescent probe detection 4-nitrophenol inner filter effect
1 四川大学电子信息学院，四川 成都 610041
2 苏州长光华芯光电技术股份有限公司，江苏 苏州 215009
提高半导体激光器的输出功率及电光转换效率一直是国内外的研究热点。本文针对应用在低温环境下的半导体激光器，优化其外延结构中波导层的材料组分，有效降低了器件的串联电阻，使其在低温环境中有更好的性能表现。制备了腔长为2.5 mm的940 nm半导体激光阵列(巴条)，并在－65～5 ℃的温度范围内对其进行性能表征。对比波导层优化前后两种结构的低温特性，结果显示，优化后的外延结构在低温下的性能大幅提升。由于低电阻特性，优化后的外延结构在－65 ℃、占空比为8%(200 μs，400 Hz)的准连续条件下的最大电光转换效率高达82.3%，远高于结构优化前的78.5%，而且其在1000 W输出功率下的电光转换效率为71.3%。
激光器 电光转换效率 高功率 低温特性 波导 半导体激光阵列 中国激光
2022, 49(11): 1101004
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海200050
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2~3 μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2~2.5 μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2.5~3 μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1.7 μm的高In组分InGaAs光电探测器等，这些器件结构均采用GSMBE方法生长，其中2.5 μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用，2.9 μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射，含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2.6 μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小，此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制.
半导体激光器 光电探测器 磷化铟基 无锑 气态源分子束外延 semiconductor lasers photodetectors InP-based antimony-free gas source MBE
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的样品为例用此方案测量校正了室温下测得的光荧光谱,并对校正前后的结果进行了比对分析,获得了与实际符合的结论.结果表明采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得宽波数范围内的有效发光强度信息.
发射光谱 校正 发光强度 光荧光 傅里叶变换 emission spectroscopy correction luminescence intensity photoluminescence Fourier transformed
Author Affiliations
Abstract
School of Physical Science and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, China
Through employing permutation entropy and the self-correlation function, the time-delay signature (TDS) of a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) with variable-polarization filtered optical feedback (VPFOF) is evaluated theoretically. The work shows that the feedback rate η, polarizer angle θp, and filter bandwidth Λ have an obvious influence on the TDS. The evolution maps of the TDS in parameter space (η,Λ) and (η,θp) are simulated for searching the chaos with weak TDS. Furthermore, compared with a VCSEL with polarization-preserved filtered optical feedback and a VCSEL with variable-polarization mirror optical feedback, this VPFOF–VCSEL shows superiority in TDS suppression.
140.1540 Chaos 140.7260 Vertical cavity surface emitting lasers Chinese Optics Letters
2015, 13(9): 091401
1 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083
针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题，提出了两种简便可行的校正方案，即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案；对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.用两种方案对多种短波红外InGaAs光电探测器进行了测量校正，获得了与实际符合的响应光谱.为验证方案的适用性，还与采用经精确标定的光栅分光测量系统测得的结果进行了比对，确认了其适用性.结果表明，采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得符合实际的响应光谱.
响应光谱 校正 光电探测器 量子型 傅里叶变换红外 response spectra correction photodetectors quantum type Fourier transformed infrared 红外与毫米波学报
2015, 34(6): 0737
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海200050
采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In0.53Ga0.47As数字合金三角形势阱和张应变的In0.43Ga0.57As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量子阱结构具有很高的晶格质量.在100K、130mA连续波工作模式下，激光器的峰值波长达到1.94μm，对应的阈值电流密度为2.58kA/cm2.随着温度升高，激光器的激射光谱出现独特的蓝移现象，这是由于激光器结构中相对较高的内部吸收和弱的光学限制引起最大增益函数斜率降低所导致的.
数字合金 量子阱 分子束外延 digital alloy quantum well molecular beam epitaxy
1 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海200050
2 中国科学院研究生院，北京100049
3 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海200083
通过在InP基InxAl1-xAs 递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构，研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明，在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面粗糙度都得到降低.对于相对较薄的量子阱结构，X射线衍射倒易空间扫描图和光致发光谱的测量表明，使用组分过冲可以增加弛豫度、减小剩余应力并改善光学性质.而对于较厚的探测器结构，X射线衍射和光致发光谱测试发现使用组分过冲后的材料性质没有明显的变化.量子阱和探测器结构的这些不同特性需要在器件设计应用中加以考虑.
缓冲层 X射线衍射 光致发光 InAlAs InAlAs buffer X-ray diffraction photoluminescence
航空电子全双工交换式以太网(AFDX)是针对航空电子应用从工业交换式以太网升级而来的。其中,引入的虚拟链路(VL)和流量管制机制为网络通信任务提供了确定性的保障。网络演算是AFDX中常用的VL延时上界计算工具, 为AFDX网络的实时性研究提供了理论依据。但是网络演算采用了VL简单流模型, 计算得到的延时上界比较悲观。将VL精确流模型应用在网络演算工具中, 并展示了基于精确流模型的网络演算能够得到更紧的延时上界计算结果。
航空电子全双工交换式以太网(AFDX) 虚拟链路(VL) 流模型 网络演算 Avionics Full Duplex Switched Ethernet (AFDX) Virtual Link (VL) flow model network calculus
1 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050
2 中国科学院研究生院，北京 100049
3 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083
采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系InAlGaAs材料性质进行了表征。摇摆曲线结果表明，根据计算数据所生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着Al组分的增加，样品的光致发光强度、电子浓度和迁移率均有所下降.样品的三族元素组分由光致发光及X射线衍射实验获得，测试结果与设计值吻合，Al组分的实验设计值与测试结果的关系提供了一种实用的精确控制组分的方法.
化合物半导体 分子束外延 X射线衍射 光致发光 compound semiconductor molecular beam epitaxy InAlGaAs InAlGaAs X-ray diffraction photoluminescence
