针对铷(87Rb)原子钟激励光源微型化和高温工作的特殊需求，设计并制备了对应铷原子能级跃迁的795 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。首先，根据k·p理论计算了InAlGaAs/AlGaAs量子阱的价带能级和材料增益，得到最优的量子阱组分和厚度; 然后，采用一维传输矩阵方法设计了795 nm波段的布拉格反射器(DBR)，根据完整结构VCSEL器件的驻波场分布设计了掺杂分布; 最后，采用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了优化的795 nm VCSEL外延结构，并制备了氧化限制型非闭合台面结构的795 nm顶发射器件。实验显示: 封装后的75 μm口径器件可在室温至85 ℃范围内连续工作，最高功率为17 mW，激光光束呈圆形，发散角为15°，激射波长的温漂系数为0.064 nm/℃; 在温度为52 ℃、注入电流为100 mA时，激射波长位于794.7 nm(对应铷原子钟需要的波长)，基本满足铷原子钟激励光源对波长稳定和高温工作的要求。