采用分子束外延设备在不同晶面蓝宝石衬底上(c面, a面, r面)生长BeZnO薄膜。使用复合缓冲层生长得到了高质量的BeZnO薄膜, X射线衍射半高宽达到600 arcsec。在c面与a面蓝宝石衬底上生长得到了极性BeZnO薄膜, 在r面蓝宝石上生长得到了非极性BeZnO薄膜。共振拉曼光谱测试结果表明薄膜中的Be含量在同一水平。相对于c面与a面蓝宝石上的极性BeZnO薄膜, 生长在r面蓝宝石衬底上的非极性BeZnO薄膜具有较大的表面粗糙度以及较大的半高宽, 但是其光致发光谱中的紫外发光峰远远强于极性BeZnO薄膜, 并且黄绿光发光峰弱于极性BeZnO薄膜。

用分子束外延设备插入缓冲层在c面蓝宝石上生长得到高质量ZnO和BeZnO薄膜。XRD测试显示薄膜具有六方结构和c轴取向, 并具有良好的晶体质量, 其中ZnO薄膜的半高宽仅为108 arcsec, BexZn1-xO薄膜的半高宽小于600 arcsec。对ZnO和BeZnO薄膜的拉曼光谱进行对比研究发现, 随着Be元素的掺入, A1(LO)、A1(2LO)声子模频率往大波数方向移动, 并且首次发现了与Be元素掺杂有关的局域振动模。利用变温光致发光光谱研究了薄膜的发光性质, 结果显示ZnO薄膜室温光致发光只出现一个紫外发发光峰（378 nm）, 而低温光谱（80 K）则出现了很强的自由激子发光峰。随着温度的升高, 束缚激子发光逐渐湮灭向自由激子发光转变, 并且峰值位置红移。相对于ZnO薄膜, BeZnO薄膜的紫外发光主峰位置蓝移, 并且由于Be元素的掺入导致薄膜晶体质量下降, 在低温（80 K）光致发光光谱中没有出现强的自由激子发光峰。另外, 在低温光致发光及拉曼光谱中, 主峰位置在100～200 K之间有局部最大值, 推测为由于合金晶格热膨胀系数失配而引起的应力效应。