陆义 1,2,3,4,*闫建昌 1,2,3李晓航 4郭亚楠 1,2,3[ ... ]李晋闽 1,2,3
1 中国科学院半导体研究所 半导体照明研发中心, 北京 100083
2 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100049
3 北京市第三代半导体材料及应用工程技术研究中心, 北京 100083
4 阿卜杜拉国王科技大学 先进半导体实验室, 图沃 23955-6900,沙特阿拉伯
为了获得高效率的AlGaN基深紫外发光二极管, 提出了具有渐变量子垒的氮极性结构来调控载流子的传输.通过氮极性结构在p型电子阻挡层中形成的反向极化诱导势垒, 改善空穴注入和电子泄漏问题.另外研究了不同的渐变方向和渐变程度对器件性能的影响.模拟结果显示, 在12 nm的AlGaN量子垒上沿着(000-1)方向从Al组分0.65线性渐变到0.6, 可以有效平衡量子垒的势垒高度和斜率, 从而极大的增强空穴注入, 光输出功率相较于传统结构提高了53.6%.该设计为电子泄漏和空穴注入问题提供了直接而有效的解决方案, 在实现更高效率的深紫外发光二极管方面显示出广阔的前景.
深紫外LED 氮极性 渐变量子垒 载流子调控 Deep Ultraviolet Light-Emitting Diode(DUV LED) AlGaN AlGaN N-polar Grading quantum barrier Carrier manipulation
