陆义 1,2,3,4,*闫建昌 1,2,3李晓航 4郭亚楠 1,2,3[ ... ]李晋闽 1,2,3
1 中国科学院半导体研究所 半导体照明研发中心, 北京 100083
2 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100049
3 北京市第三代半导体材料及应用工程技术研究中心, 北京 100083
4 阿卜杜拉国王科技大学 先进半导体实验室, 图沃 23955-6900,沙特阿拉伯
为了获得高效率的AlGaN基深紫外发光二极管, 提出了具有渐变量子垒的氮极性结构来调控载流子的传输.通过氮极性结构在p型电子阻挡层中形成的反向极化诱导势垒, 改善空穴注入和电子泄漏问题.另外研究了不同的渐变方向和渐变程度对器件性能的影响.模拟结果显示, 在12 nm的AlGaN量子垒上沿着(000-1)方向从Al组分0.65线性渐变到0.6, 可以有效平衡量子垒的势垒高度和斜率, 从而极大的增强空穴注入, 光输出功率相较于传统结构提高了53.6%.该设计为电子泄漏和空穴注入问题提供了直接而有效的解决方案, 在实现更高效率的深紫外发光二极管方面显示出广阔的前景.
深紫外LED 氮极性 渐变量子垒 载流子调控 Deep Ultraviolet Light-Emitting Diode(DUV LED) AlGaN AlGaN N-polar Grading quantum barrier Carrier manipulation
1 石家庄学院 物理与电气信息工程学院, 石家庄 050000
2 河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300130
利用金属有机化合物化学气相淀积（MOCVD）在SiC衬底上外延生长了N-polar GaN材料, 采用传输线模型（TLM）分析了Ti/Al/Ni/Au金属体系在N-polar GaN上的欧姆接触特性。结果表明, Ti/Al/Ni/Au（20/60/10/50nm）在N-polar GaN上可形成比接触电阻率为2.2×10-3Ω·cm2的非合金欧姆接触, 当退火温度升至200℃, 比接触电阻率降为1.44×10-3Ω·cm2, 随着退火温度的进一步上升, Ga原子外逸导致欧姆接触退化为肖特基接触。
欧姆接触 氮极性 氮化镓 Ohmic contacts Ti/Al/Ni/Au Ti/Al/Ni/Au N-polar GaN
南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室, 江苏 南京210016
采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。通过X射线双晶衍射(XRD)摇摆曲线和光致荧光(PL)谱测试研究了成核层生长时间对N极性GaN薄膜晶体质量和发光性能的影响。研究结果表明, 成核层生长时间为300 s时, N极性GaN薄膜样品的位错密度最低, 发光性能最好。采用拉曼(Raman)光谱对样品的应变状态进行了分析。
氮化镓 氮极性 成核层 金属有机物化学气相沉积 GaN N-polar nucleation layer MOCVD
