利用 532 nm皮秒脉冲激光在金纳米光栅表面诱导表面等离子体激发 CdSe量子点荧光，并测量了 CdSe量子点荧光增强效应。分别采用 AFM刻蚀方法和自组装方法在硅基金膜表面制备了纳米光栅/CdSe量子点的多层薄膜结构。通过调节皮秒脉冲激光的功率，在显微拉曼平台上测量了 CdSe量子点的荧光光谱。结果表明，金纳米光栅 /CdSe量子点结构能够实现量子点远场荧光大幅增强，其最大荧光强度达 7.80倍，并在达到最大强度点开始迅速饱和。该研究结果可广泛应用于光电器件、生物医学检测研究等领域。

报道了一种新型的利用氢化物发生技术水相合成高质量硒化镉量子点(CdSe QDs)的方法。通过将硼氢化钾与亚硒酸混合产生H2Se气体, 并将其可调控地引入到含镉溶液中, 从而制备出化学性质稳定、荧光性能良好的CdSe量子点。所合成的量子点被成功应用于环境水样及细胞样品中痕量银的分析, 分析检出限为0.005 μg·mL-1, 相对标准偏差小于2.7%(n=7), 分析结果令人满意。该方法具有操作简单、稳定性好、灵敏度高、绿色环保等优点。

为了探究异丙醇对胶体CdSe团簇量子点荧光光谱的影响, 使用胶体化学法在油酸-石蜡体系下合成CdSe团簇量子点, 对团簇量子点和异丙醇采用不同的混合比例, 得到了其修饰之后的荧光发光谱（PL）和紫外吸收（UV）光谱, 并采用曲线拟合的方法对团簇量子点的光学性能进行了研究。通过对AFM和傅里叶红外光谱的分析, 探讨了CdSe团簇量子点光学性能改变的内在联系。结果表明：随着异丙醇浓度的增加, 量子点的荧光峰出现11 nm的蓝移,且蓝移曲线呈阶梯状变化; 相对荧光强度也呈现出先上升再下降的波动性变化, 且波动幅度最大能达到1 000 a.u.; 量子点的第一吸收峰和第二吸收峰都会发生不同程度的红移, 且最大红移达到12 nm。

基于量子点荧光粉白光发光二极管(WLED)是由蓝色GaN芯片和发红光及绿光的CdSe/CdS/ZnS量子点(QDs)组成。因为CdSe量子点的发射波长可在510~620 nm之间调节,导致了其色坐标和色差的可变。采用的CdSe量子点是在制备无机前驱体和非配位溶剂的基础上通过合成方法得到的。实验证实温暖和寒冷白光辐射是由于色温在4 000~9 000 K区间变化;不同的偏置电压导致了颜色坐标的变化,增加工作时间在90 min内对白光发射的稳定性进行分析得到稳定光谱。