1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
2 长春理工大学理学院, 吉林 长春 130012
采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术, 以NH3为掺杂源, 制备了氮δ掺杂Cu2O 薄膜, 研究了N掺杂对Cu2O薄膜表面形貌、光学及电学性质的影响。研究结果表明, N掺杂引起了晶格畸变, Cu2O薄膜的表面粗糙度增大; 掺杂后Cu2O薄膜的带隙宽度从2.70 eV增加到3.20 eV, 吸收边变得陡峭; 掺杂后载流子浓度为6.32×1019 cm-3, 相比于未掺杂样品(5.77×1018 cm-3)的提升了一个数量级。
材料 等离子体增强原子层沉积 氮δ掺杂 Cu2O薄膜 NH3掺杂源
1 上海理工大学光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
2 教育部光学仪器与系统工程研究中心, 上海市现代光学系统重点实验室, 上海 200093
采用真空电子束蒸发技术及后续热氧化技术,在玻璃基底上制备了不同厚度的金属铜薄膜。采用X射线衍射、X射线光电子能谱分别表征了所制备的金属铜薄膜的晶体结构和元素组成。采用紫外-可见-近红外分光光度计及拉曼光谱仪分别分析了所制备的金属铜薄膜的吸收谱和表面增强拉曼光谱(SERS)活性。随着膜厚的增加,退火后的薄膜样品由非晶态转变为(111)面择优生长的多晶态,且其吸收边发生红移。当退火温度为200 ℃、退火时间为60 min时,能够获得单一相的纳米氧化亚铜(Cu2O)薄膜。薄膜样品SERS活性随纳米Cu2O薄膜吸光度的增大而增强。
材料 薄膜 表面增强拉曼光谱活性 纳米Cu2O薄膜 真空电子束蒸发 热氧化
