长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022
利用等离子体增强原子层沉积系统, 使用氮等离子体对Te掺杂GaSb的表面进行刻蚀, 改善样品的发光特性.在室温下(300 K), 发光强度提高了4倍.在低温光谱测试中, 发现了由Te掺杂导致的TeSb施主缺陷相关的发光峰, 峰位位置在0.743 eV处; 此外, 带边发光峰位随温度变化从0.796 eV移动到0.723 eV.对比室温和低温光谱, 发现当N等离子体刻蚀功率为100 W时, Te掺杂GaSb的最佳刻蚀周期是200周期; 并且氮钝化没有改变Te掺杂GaSb的发光机制, 只是提高了样品的辐射复合效率.
光致发光 钝化 等离子体增强原子层沉积 氮等离子体 Photoluminescence Passivation GaSb GaSb Plasma enhanced atomic layer deposition Nitrogen plasma
1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
2 长春理工大学理学院, 吉林 长春 130012
采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术, 以NH3为掺杂源, 制备了氮δ掺杂Cu2O 薄膜, 研究了N掺杂对Cu2O薄膜表面形貌、光学及电学性质的影响。研究结果表明, N掺杂引起了晶格畸变, Cu2O薄膜的表面粗糙度增大; 掺杂后Cu2O薄膜的带隙宽度从2.70 eV增加到3.20 eV, 吸收边变得陡峭; 掺杂后载流子浓度为6.32×1019 cm-3, 相比于未掺杂样品(5.77×1018 cm-3)的提升了一个数量级。
材料 等离子体增强原子层沉积 氮δ掺杂 Cu2O薄膜 NH3掺杂源
