1 高功率半导体激光国家重点实验室,长春理工大学光电工程学院, 吉林 长春 130022
2 发光学及应用国家重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033
3 南昌大学, 江西 南昌 330047
采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700 ℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜.样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响P扩散掺杂的重要因素,低温PL光谱中,700 ℃热退火1 h样品的光谱展现出四个与受主相关的发射峰:3.351,3.311,3.246和3.177 eV,分别来自受主束缚激子的辐射复合(A°X)、自由电子到受主的发射(FA)、施主受主对的发射(DAP)以及施主受主对的第一纵向声子伴线(DAP-1LO),计算得到受主束缚能为122 meV,与理论计算结果一致.通过热扩散方式实现了ZnO薄膜的p型掺杂,解决了制约ZnO基光电器件发展的主要问题,对ZnO基半导体材料及其光电器件的发展有重要意义.
扩散掺杂 p型ZnO P掺杂 原子层沉积 光致发光 Diffuse doped p-type ZnO Phosphorus-doped Atomic layer deposition(ALD) Photoluminescence 光谱学与光谱分析
2015, 35(7): 1787
