严闪闪 1,2王双鹏 2,*宿世臣 1,3,*
作者单位
摘要
1 华南师范大学 半导体科学技术研究院,广东 510631
2 澳门大学 应用物理与材料工程研究所,澳门 999078
3 华南师大(清远)科技创新研究院有限公司,清远 511517
由于光存在衍射极限,因此传统方法不能实现亚波长尺度下的激光激射。为了打破这一衍射极限,本文设计了金属-介电层-半导体堆叠结构来实现深亚波长尺度下的激光激射,并讨论了相关结构对模式传播的影响。结构设计上,采用低介电常数金属银作为衬底、10 nm厚的LiF作为介电层、具有六边形截面的半导体纳米线ZnO作为高介电常数层,采用有限差分本征模和时域有限差分方法对所设计的结构进行光学仿真模拟。首先,通过改变ZnO纳米线的直径,使用有限本征模方法分析介电层中的光学模式,得到4种模式分布。然后,通过这4种光学模式在不同纳米线直径下的有效折射率和损耗计算了对应的波导传输距离以及激射阈值增益。最后,采用三维时域有限差分方法仿真分析纳米线稳态激光发射过程中各模式的电场分布。结果表明:在纳米线和金属衬底之间的介电层上存在混合等离子体模式和混合电模式,对于直径低于75 nm的ZnO纳米线,没有有效的物理光学模式,即混合等离子体模式和混合电模式都被切断,当ZnO纳米线的直径大于75 nm时,混合等离子体模式可以有效存在,而混合电模式在ZnO纳米线的直径达到120 nm之后才出现。虽然混合等离子体模式可以更好地限制在介电层中,但是它们的模式损耗太大,传播距离相对较小。此外,与混合等离子体模式相比,混合电模式的传播距离更长。在给定微米线的直径(D = 240 μm)下,混合电模式传播距离超过50 μm。综上可知,在深亚波长尺度下利用混合泄漏模式可以打破光学衍射极限并实现激光激射。
激光 泄漏模式 亚波长 波导 laser leaky-mode subwavelength waveguide 
中国光学
2021, 14(2): 397
作者单位
摘要
1 长春理工大学 光电工程学院 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
2 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室, 吉林 长春 130022
3 南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心, 广西 南昌 330047
研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的AlN温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA, 在300 ℃、350 ℃和370 ℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1 000、1 500周期的AlN层, 并讨论了AlN薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明, 在300~370 ℃范围内, 随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加, 而薄膜表面粗糙度减小。
氮化铝 等离子增强原子层沉积 生长速率 结晶化 表面粗糙度 沉积温度 Aluminum nitride plasma enhanced atomic layer deposition growth rate crystallization surface roughness deposition temperature 
红外与激光工程
2016, 45(4): 0421001
作者单位
摘要
1 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,吉林 长春 130022
2 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春 130033
利用水热法制备了ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光光谱(PL)对退火前后的ZnO/ZnFe2O4纳米粒子进行表征。研究结果表明,退火后的ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子表现出更好的形貌和晶体质量,主要由六角纤锌矿结构的ZnO和立方结构的ZnFe2O4构成。PL光谱显示,退火后ZnO近带边的发光强度明显降低,这是由于ZnO/ZnFe2O4形成了Ⅱ型能带结构实现了光生载流子分离的结果。对其光催化特性也进行了研究,光照时间为3 h,退火后的ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子表现出更优秀的光催化活性,降解甲基橙的效率可达50.48%。另外,还对其磁性进行了研究,室温条件下,纳米复合粒子表现为顺磁性,而经过退火处理后表现出铁磁性。因此,ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子经退火后具备磁性光催化剂性能,有一定的发展前景。
纳米复合结构 光催化特性 ZnO ZnO ZnFe2O4 ZnFe2O4 nanocomposites photocatalytic property 
红外与激光工程
2015, 44(7): 2110
陈芳 1,*房丹 1王双鹏 2方铉 1[ ... ]魏志鹏 1
作者单位
摘要
1 高功率半导体激光国家重点实验室,长春理工大学光电工程学院, 吉林 长春 130022
2 发光学及应用国家重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033
3 南昌大学, 江西 南昌 330047
采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700 ℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜.样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响P扩散掺杂的重要因素,低温PL光谱中,700 ℃热退火1 h样品的光谱展现出四个与受主相关的发射峰:3.351,3.311,3.246和3.177 eV,分别来自受主束缚激子的辐射复合(A°X)、自由电子到受主的发射(FA)、施主受主对的发射(DAP)以及施主受主对的第一纵向声子伴线(DAP-1LO),计算得到受主束缚能为122 meV,与理论计算结果一致.通过热扩散方式实现了ZnO薄膜的p型掺杂,解决了制约ZnO基光电器件发展的主要问题,对ZnO基半导体材料及其光电器件的发展有重要意义.
扩散掺杂 p型ZnO P掺杂 原子层沉积 光致发光 Diffuse doped p-type ZnO Phosphorus-doped Atomic layer deposition(ALD) Photoluminescence 
光谱学与光谱分析
2015, 35(7): 1787
作者单位
摘要
1 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033
2 浙江海洋学院 船舶与海洋工程学院, 浙江 舟山316022
3 东北师范大学 先进光电功能材料研究中心, 吉林 长春130024
在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件, 30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm), 对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相MgZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面态, 在立方相薄膜表面电极接触中起到了降低势垒、减小耗尽层宽度、增强电极注入电子的能力的作用, 使得器件形成高的光导增益。
立方MgZnO 深紫外探测器 光导增益 cubic MgZnO deep-ultraviolet photodetector photoconductive gain 
发光学报
2014, 35(11): 1291
作者单位
摘要
1 高功率半导体激光国家重点实验室, 长春理工大学理学院, 吉林 长春130022
2 发光学及应用国家重点实验室, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033
采用静电纺丝方法制备聚乙烯吡咯烷酮(PVP)纳米纤维, 并以其为模板采用原子层沉积(ALD)方法制备不同 Mg 掺杂浓度的MgxZn1-xO纳米纤维。 研究了不同Mg掺杂浓度对复合纳米纤维结构和光学性质的影响。 利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、 光致发光(PL)和紫外-可见光(UV-Vis)吸收谱对样品测试并进行表征分析。 结果表明, Mg元素的掺入并没有改变ZnO纳米纤维的形貌, 所有样品的表面形貌极其相似, 只是掺杂后纤维直径有所增大;随着Mg掺杂浓度的增加吸收边逐渐发生蓝移, 表明所制备MgxZn1-xO纤维的带隙具有可调节性。 与此同时, 在PL谱中可以观察到样品的紫外(UV)发光峰从377 nm移动至362 nm, 且与不掺杂的样品相比, MgxZn1-xO纳米纤维的UV发光强度明显增强。 通过这种方法可以合成组分可控的MgxZn1-xO纳米纤维。 在ZnO中掺入Mg元素可以有效地提高ZnO-PVP纳米纤维的禁带宽度以及UV发射强度。
Mg掺杂ZnO 纳米纤维 静电纺丝 MgxZn1-xO PVP PVP Composite nanofibers Electrospinning ALD ALD 
光谱学与光谱分析
2014, 34(12): 3197
郑剑 1,2,*张振中 1王立昆 1,2韩舜 1[ ... ]申德振 1
作者单位
摘要
1 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033
2 中国科学院大学, 北京100049
3 东北师范大学 先进光电功能材料研究中心, 吉林 长春130024
为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制, 利用低压MOCVD设备, 在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长, 获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜, 把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 eV, 覆盖了整个日盲紫外波段。对比实验分析表明, 这种高Zn组分立方相MgZnO薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度(350~400 ℃)。 Mg0.3Zn0.7O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270 nm, 截止波长295 nm。
立方MgZnO 缓冲层 带隙调制 cubic MgZnO buffer layer bandgap modulation 
发光学报
2014, 35(9): 1040
作者单位
摘要
1 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033
2 中国科学院大学, 北京 100049
3 吉林大学 物理学院, 吉林 长春 130023
利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了B/N共掺的p型ZnO薄膜, 对比了B/N共掺和N单掺杂样品的物理学性能。通过X射线光电子能谱测试证明了在薄膜中存在有B和B—N键。B/N共掺样品的空穴浓度比单一N掺杂样品高近两个量级。且ZnO∶(B,N)薄膜在两年多的时间内一直显示稳定的p型电导。这是由于B—N键的存在提高了N在ZnO薄膜中的固溶度,且B—N键之间强的键能和B占据Zn位所表现的弱施主特性不会带来强的施主补偿效应, 说明B是N掺杂ZnO薄膜的一种良好的共掺元素。
B/N共掺 p型掺杂 ZnO ZnO B/N codoped stable p-type conduction 
发光学报
2014, 35(7): 795
作者单位
摘要
1 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033
2 中国科学院大学, 北京100049
3 东北师范大学 先进光电子功能材料研究中心, 吉林 长春130024
由于在日盲紫外探测方面的应用前景, 具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注。获得具有择优取向的单一相MgZnO对提升MgZnO基日盲紫外探测器性能至关重要。本文利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在m面蓝宝石衬底上制备了一系列不同组分的MgxZn1-xO薄膜。光学和结构特性测试结果表明: Zn摩尔分数达到55%的Mg0.45Zn0.55O薄膜依然是单一立方相, 其光学带隙可以达到4.7 eV。立方岩盐结构MgZnO与m面蓝宝石衬底的外延结构关系为(110)MgZnO‖(1010)sapphire、[001]MgZnO‖[1210]sapphire和[110]MgZnO‖[0001]sapphire。唯一确定的面内取向有利于薄膜晶体质量的提高。基于(110)取向立方相Mg0.45Zn0.55O薄膜制备金属-半导体-金属(MSM)结构器件, 获得了光响应峰在260 nm、光响应截止波长278 nm的日盲紫外探测器。
立方MgZnO (110)取向 日盲紫外探测器 cubic MgZnO (110)-oriented solar-blind UV photodetectors MOCVD MOCVD 
发光学报
2014, 35(6): 678
作者单位
摘要
1 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033
2 中国科学院大学, 北京 100049
3 吉林大学 物理学院, 吉林 长春130023
使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品。在连续的富锌气氛环境中生长的样品, 由于存在大量的施主缺陷, 呈现n型电导。为了抑制施主缺陷带来的补偿效应, 在生长过程中, 通过周期性补充氧气, 形成周期性的富氧气氛, 缓解了氮掺杂浓度和施主缺陷浓度之间的矛盾。光致发光测量表明, 通过交替生长气氛, 氧空位和锌间隙等缺陷在薄膜中得到了显著抑制。通过交替生长气氛生长的外延薄膜的结晶质量也有所提高。样品显示出重复性较高的p型电导, 载流子浓度可达到1016 cm-3。周期性补氧调节生长气氛的生长方式是一种有效实现p型掺杂ZnO的方法。
氧化锌 p型掺杂 间歇性补氧 ZnO p-type oxygen supplementation 
发光学报
2014, 35(4): 399

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