In this work, a novel one-time-programmable memory unit based on a Schottky-type p-GaN diode is proposed. During the programming process, the junction switches from a high-resistance state to a low-resistance state through Schottky junction breakdown, and the state is permanently preserved. The memory unit features a current ratio of more than 10³, a read voltage window of 6 V, a programming time of less than 10^?4 s, a stability of more than 10⁸ read cycles, and a lifetime of far more than 10 years. Besides, the fabrication of the device is fully compatible with commercial Si-based GaN process platforms, which is of great significance for the realization of low-cost read-only memory in all-GaN integration.

全景环带光学系统凭借周视范围实时成像的特点已在超大视场光学领域中得到了广泛应用。传统的全景环带光学系统将折射、反射面集成在一片块状透镜中，光线在其内部进行多次折、反射导致头部单元体积较大，同时红外透镜材料密度大、折射率温度稳定性差等特点也与光学遥感器轻量化、可靠性高的应用需求相矛盾。文章基于像差理论，讨论了全景环带两反射镜红外光学系统头部单元初始结构设计方法，将Q型（Q-Type多项式）非球面引入全景头部单元增加优化变量，用偏离因子因子${k_{{\text{RMS}}}}$数值表征非球面加工难度，设计了以两反射镜为头部单元的全景环带红外光学系统。该系统在奈奎斯特频率（20线对/mm）处调制传递函数优于0.5；全视场像元（25 μm×25 μm区域内）能量集中度优于65%，像质评价结果表明其成像品质良好。该设计在缩小系统体积、提高光学设计优化效率方面有很大的改进，满足超大视场实时成像的应用需求。

匝间短路故障是干式空心电抗器最常见的故障，严重时会引起电抗器绝缘损坏、起火，甚至烧毁。及早诊断电抗器匝间短路故障，发出有效预警对电力系统安全运行具有重要意义。该文提出一种基于磁场检测的干式空心电抗器匝间短路故障诊断方法：独立于电抗器本体，上下安装与电抗器绕组同轴的检测线圈，通过检测线圈感应电压的变化，采用基于数理统计的准确识别匝间短路过程的3σ判据模型和算法，判断电抗器匝间短路故障并进行预警和报警。基于有限元数值计算软件，以一台型号为BKGKL-20000-35干式空心电抗器为研究对象，仿真分析了电抗器在不同位置发生匝间短路故障时检测线圈的感应电压变化规律，验证所提出方法的有效性。最后通过对试制样机的现场试验，验证了该方法实用可靠，可推广应用于实际电力系统中。

以噻吨酮作为受体、3，6?（二咔唑基）三咔唑作为给体设计合成了一种具有延迟荧光特性的Y型分子（TX?TCz）。模拟计算表明化合物HOMO和LUMO能级完全分离且在苯环上存在较小的重叠，有助于获得小的S₁和T₁的能级差ΔE_ST。随着溶剂极性的增加，化合物发射峰发生明显的红移且由于电荷转移态和局域激发态的共存产生了双峰发射。在纯膜中TX?TCz的发射峰位于513 nm，量子产率为11.5%。基于低温下荧光和磷光发射峰，计算得到化合物的ΔE_ST为0.03 eV，并且检测到μs级的寿命，说明化合物具有延迟荧光发射。与此同时，化合物展示了良好的热稳定性能和电化学性能，有助于制备高性能OLED器件。其在掺杂浓度为5%（wt）的器件中展示了良好的蓝光性能，发射峰位于463 nm，最大外量子效率为1.53%；在非掺杂器件中展示了良好的绿光发射（522 nm），最大外量子效率达到1.81%。

II类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测，而通过离子注入实现横向PN结，一方面材料外延工艺简单，同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运，且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种材料表征技术，研究了不同能量的Si离子注入以及退火前后对InAs/GaSb II类超晶格材料性能的影响。研究通过Si离子注入，外延材料由P型变为N型，超晶格材料中产生了垂直方向的拉伸应变，晶格常数变大，且失配度随着注入能量的增大而增大，注入前失配度为-0.012%，当注入能量到200 keV时，失配度达到0.072%，超晶格部分弛豫，弛豫程度为14%，而在300 °C 60 s退火后，超晶格恢复完全应变状态，且晶格常数变小，这种张应变是退火引起的Ga-In相互扩散以及Si替位导致的晶格收缩而造成的。

近红外光探测能力强的光电探测器更有利于检测人体心率，而且探测范围覆盖红光与近红外光的宽带响应光电探测器能用于检测血氧饱和度，因此提升宽带响应光电探测器的红光与近红外光探测能力具有重要意义。然而，经典的二元体异质结宽带响应倍增型有机光电探测器通常由于活性层中给体/受体比例差异较大，导致器件对红光与近红外光的响应能力较弱甚至没有响应。本文通过用少量给体材料PCE10替代活性层P3HT∶IEICO?4F（100∶1）中部分P3HT的方法，制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/P3HT∶PCE10∶IEICO?4F（90∶10∶1）/Al的体异质结三元倍增型有机光电探测器。-20 V偏压下，三元器件获得紫外到近红外（330~810 nm）响应较均匀的EQE光谱，并且器件在660 nm和810 nm处的EQEs（134000%和147000%）是相同条件下二元器件的78倍和106倍，相应的探测灵敏度（5.4×10¹³ Jones和7.27×10¹³ Jones）分别提升了26倍和36倍。三元器件的红光和近红外光探测能力得到显著提升，为制备用于人体心率与血氧饱和度检测的高性能光电探测器提供了策略。