波导带通滤波器是大功率微波滤波的重要器件, 为5G通信基站大功率微波传输提供了可能。基于光子晶体的频率带隙特性, 把二维圆柱型光子晶体引入矩形波导中, 设计了一款应用于5G通信的二维圆柱型光子晶体波导带通滤波器, 仿真研究了该滤波器的滤波特性, 以及引入点缺陷、线缺陷时滤波器的性能变化。二维光子晶体结构在矩形波导中在3~7 GHz之间显现了带通特性, 仿真结果表明, 该滤波器可以应用于5G通信n77、n78、n79频段。

在含有动态干扰因素的复杂背景下提取前景目标时,现有的视觉背景前景目标提取算法容易出现鬼影、误检等问题,因此提出了一种改进的基于视觉背景的前景目标提取算法。首先,根据像素点的时间序列以及位置特征,计算像素点的匹配概率、匹配程度以及亮度信息。其次,实时更新与当前复杂背景吻合的背景模型,同时对背景模型进行初始化。最后,对CDnet 2014数据集中各类复杂背景下的视频进行测试,并与经典的高斯混合模型、视觉背景提取(ViBe)算法、改进的ViBe算法进行对比。实验结果表明,本算法在各类复杂背景下能高效去除鬼影的影响,且提取结果精度较高,极大降低了提取结果的错分率和漏检率,提高了复杂背景下算法的高效性与鲁棒性。

ZnO是优异的紫外发光和激光材料, 氮被认为是p型ZnO和MgZnO的理想受主掺杂剂, 但在较低生长温度下氮的掺入会显著破坏晶格完整性, 使氧化锌的载流子迁移率进一步下降。为了研究N的掺入对MgZnO薄膜的影响, 利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了N掺杂的ZnO和MgZnO薄膜。实验结果表明, 在其他条件完全相同的情况下, 当Mg源温度为245 ℃和255 ℃时,载流子迁移率会显著提高, 这一现象被归结为Mg—N成键抑制了氧位上N—N对的形成, 缓解了晶格的扭曲。同时当Mg源温度为275 ℃时, 能够使N掺杂ZnO薄膜中的施主浓度降低一个量级, 有利于实现p型掺杂。

机载双频激光雷达探测技术利用双波长激光实现海陆一体化测绘，从1969年至今，国际上已经形成了成熟的商业产品，应用于海洋、海岸带和岛礁的探测。中国科学院上海光学精密机械研究所从1998年开始，先后研发了三代机载双频激光雷达，完成了从原理样机阶段到产品样机阶段的转化。最新的Mapper5000系统在南海完成了11个架次的机载飞行试验，获得南海岛礁的三维地形数据，最大实测深度达到51 m，最浅水深达到0.25 m，测深精度为0.23 m，水平位置精度为0.26 m，海洋测点密度为1.1 m×1.1 m，陆地测点密度为0.25 m×0.25 m。

采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度均增大。从能带角度分析了样品性能提升的原因,结果表明,钝化处理有利于表面态密度和肖特基势垒高度的调节,进而提升了样品性能。

分析了“聚龙一号”装置同步控制时序及Marx发生器、主开关、自击穿水开关工作状态对装置同步性的影响, Marx发生器的同步性影响装置的能量传输效率, 主开关和自击穿水开关的同步性共同决定装置的同步性。实现装置精确同步的关键, 即每台激光器经过左右分光后同时触发2个主开关导通, 12台激光器可以独立调整精确的出光时间, 用下方的主开关比上方的提前20 ns导通的方式来修正传输线长度上的差异, 将自击穿水开关的电极间隙设置为合适的距离来控制其导通时间。实验结果表明, Marx发生器同步性抖动为11 ns, 主开关和自击穿水开关上下分组的平均同步性抖动分别为4 ns和10 ns, “聚龙一号”装置的同步性抖动为6 ns。在同一负载参数下, 磁绝缘传输线和负载电流具有较好的重复性。

利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了B/N共掺的p型ZnO薄膜, 对比了B/N共掺和N单掺杂样品的物理学性能。通过X射线光电子能谱测试证明了在薄膜中存在有B和B—N键。B/N共掺样品的空穴浓度比单一N掺杂样品高近两个量级。且ZnO∶(B,N)薄膜在两年多的时间内一直显示稳定的p型电导。这是由于B—N键的存在提高了N在ZnO薄膜中的固溶度,且B—N键之间强的键能和B占据Zn位所表现的弱施主特性不会带来强的施主补偿效应, 说明B是N掺杂ZnO薄膜的一种良好的共掺元素。

利用射频磁控溅射方法, 使用Mg0. 04Zn0.96O 陶瓷靶材,选用不同流量比的氮气和氩气混和气体作为溅射气体, 在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO合金薄膜。研究了氮流量比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质和拉曼光谱的影响。结果显示:随着溅射气氛中氮流量比的增加, 薄膜中Mg含量增加, 薄膜表面颗粒尺寸减小, 结晶质量变差, 电阻率逐渐增大, 导电类型发生转变。在氮流量比为20%时, 获得了最好的p型导电薄膜。另外, 随着氮流量比的增加, 拉曼光谱中与NO相关的位于272 cm-1、642 cm-1左右的振动峰逐渐增强, 表明NO的浓度随着氮流量比的加大而有所增加。

利用射频磁控溅射技术，在相同流量的氮气、氩气混合气体条件下，在石英基片上溅射获得了不同Mg含量的N掺杂MgxZn1-xO薄膜，并研究了Mg含量对N的掺杂行为和薄膜光电性能的影响。结果显示，在N掺杂MgxZn1-xO薄膜中，随着Mg含量的增加，薄膜的电阻率增加，载流子浓度下降；X射线电子能谱中位于395 eV左右的N1s峰强逐渐减弱、甚至消失；Raman光谱中与受主NO相关的位于272 cm-1、642 cm-1左右的振动峰也随之减弱、消失。得到的结果表明:在N和O的化学势相同的条件下，薄膜中Mg含量对N的掺杂行为有一定的影响，随着Mg含量的增加，受主NO的掺杂浓度降低，N的掺杂状态发生变化；N掺杂MgxZn1-xO薄膜中Mg含量低时,存在NO与(N2)O两种状态；Mg含量高时，薄膜中只存在 (N2)O一种形式。

使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品。在连续的富锌气氛环境中生长的样品, 由于存在大量的施主缺陷, 呈现n型电导。为了抑制施主缺陷带来的补偿效应, 在生长过程中, 通过周期性补充氧气, 形成周期性的富氧气氛, 缓解了氮掺杂浓度和施主缺陷浓度之间的矛盾。光致发光测量表明, 通过交替生长气氛, 氧空位和锌间隙等缺陷在薄膜中得到了显著抑制。通过交替生长气氛生长的外延薄膜的结晶质量也有所提高。样品显示出重复性较高的p型电导, 载流子浓度可达到1016 cm-3。周期性补氧调节生长气氛的生长方式是一种有效实现p型掺杂ZnO的方法。