中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900
对飞秒激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了实验测量,对从ls到60fs不同脉宽激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了讨论.实验数据表明,在ls到10ns脉宽范围内损伤所需能量密度近似而非严格地与脉宽的平方根成正比.信号分析表明硅光电二极管的损伤主要由热效应造成,而60fs激光辐照下的损伤阈值为0.1J/cm2,明显偏离普通温度分布预言的趋势.
飞秒激光 硅光电二极管 损伤阈值 脉宽效应 Femtosecond laser Si photodiode Damage threshold Duration effect
