中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
利用直流磁控溅射制备了单层Ge2Sb2Te5薄膜,研究了薄膜在400～800 nm区域的反射、透过光谱,计算了它的吸收系数,发现薄膜在400～800 nm波长范围内具有较强的吸收.随着薄膜厚度的增加,相应的禁带宽度Eg也随之增加.对Ge2Sb2Te5薄膜光存储记录特性的研究发现,在514.5 nm波长激光辐照样品时,薄膜具有良好的写入对比度,擦除前后的反射率对比度在6%～18%范围内.对实验结果进行了分析.
Ge2Sb2Te5薄膜 光存储 反射率对比度 光学性能
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
超分辨技术是一种无需减小记录波长或增大数值孔径而提高存储密度的方法.Ge-Sb-Te是一种良好的相变光存储材料,在超分辨光盘中可作为掩膜.利用多层膜反射率的矩阵法计算了掩膜为Ge2Sb2Te5薄膜的超分辨只读式光盘的光学参数与各膜层厚度之间的关系,最后得到了较为理想的膜层厚度匹配.采用磁控溅射法制备了只读式超分辨光盘,测量了光盘的光学性质.
超分辨 掩膜 Ge2Sb2Te5薄膜
中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
实验研究了氩气气压对溅射制备的Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数随波长变化的影响,结果表明:随薄膜制备时氩气气压的增加,Ge2Sb2Te5薄膜的折射率n先增大后减小,而消光系数k先减小后增大。二者都随波长的变化而变化,且在长波长范围变化较大,短波长范围变化较小,解释了溅射气压对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数影响的机理。
氩气气压 光学常数 Ge2Sb2Te5薄膜
中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
研究了632.8 nm波长下适用的相变光盘介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性，发现该薄膜可在100 ns条件下实现直接重写，在优化膜层结构后，写擦循环次数高达106，反射率对比度在15％以上。
短波长相变材料 Ge2Sb2Te5薄膜 静态性能
