重庆邮电大学通信与信息工程学院，重庆 400065
跨模态行人重识别是一项具有挑战性的行人检索任务。现有研究侧重于通过提取模态共享特征来减小模态间差异，忽视了对模态内差异和背景干扰的处理。为此，提出了一种掩膜重构与动态注意力（MRDA）网络，该网络通过重构人体区域特征来消除背景杂波的影响，从而增强网络对背景变化的鲁棒性。此外，该网络结合了动态注意力机制，以过滤无关信息，动态挖掘并增强具有辨别力的特征表示，消除模态内差异的影响。实验结果显示：该网络在SYSU-MM01数据集的all-search模式下的第一个检索结果匹配成功的概率（Rank-1）和均值平均精度（mAP）分别达到70.55%和63.89%；在RegDB数据集的visible-to-infrared检索模式下的Rank-1和mAP分别达到91.80%和82.08%。在公共数据集上验证了所提方法的有效性。
行人重识别 跨模态 掩膜重构 双流网络 动态注意力 激光与光电子学进展
2024, 61(10): 1015001
1 厦门大学 萨本栋微米纳米科学技术研究院，福建厦门36005
2 福建省能源材料科学与技术创新实验室（IKKEM），福建厦门361005
3 厦门大学 航空航天学院，福建厦门61102
4 厦门大学 物理科学与技术学院，福建厦门361005
5 厦门大学 九江研究院，江西九江332000
在MLA曝光工艺中，曝光点的数量庞大，通过高倍率显微镜配合人工目检来判定曝光质量耗时耗力，造成工艺成本偏高。为了解决这个问题，设计了一种便于检测的圆环形图案并引入深度学习中的目标检测Yolov5模型，一定程度上能够取代人工目检，完成对曝光质量的快速判定。基于上述方法，分析了不同光刻胶厚度之下，线能量密度的最优区间与光刻胶的剖面倾角。并在同等线能量密度下通过圆度判定曝光图案失真情况。在本研究的MLA曝光工艺中，选取光刻胶厚度、激光曝光功率以及加工平台移动速度作为自变量，评价曝光合格率、光刻胶剖面倾角以及曝光圆度等加工质量参数具有重要的工程意义。
无掩膜光刻 微透镜阵列 曝光合格率 目标检测 maskless lithogrophy microlens array qualification rate object detection
长春理工大学 光电工程学院, 吉林 长春 130022
我国鼻内窥镜受加工, 装调等因素的影响, 内窥镜在实际使用时的分辨率及像差情况要明显差于设计水平, 论文经过公差分析, 得出偏心公差对结果影响巨大, 基于以上问题, 文章在设计的一款视场角为80°, 入瞳直径为0.2mm的鼻窦物镜基础上, 模拟装调误差, 提出在不改变装调后鼻窦物镜机械结构的前提下, 在物镜保护玻璃前方加入掩膜相位板补偿装调误差导致的成像质量下降; 从设计结果可知, 添加掩膜相位板后系统传函图从在空间频率30lp/mm等于0提升到170lp/mm大于0.2; 用N3鉴别率板检测系统分辨率, 物方可分辨18组左右, 物方分辨率为15μm。由此可知在补偿掩膜相位板的设计中, 在不改变原设计基础上, 可明显提高像质。
鼻窦物镜 偏心误差 掩膜相位板 像质分析 nose sinus objective lens eccentricity error phase plate image quality analysis
1 北京理工大学 机械与车辆学院，北京0008
2 北京理工大学 重庆创新中心，重庆40110
3 江西联创电子有限公司，江西南昌0000
鉴于以光刻胶为代表的高分子材料的切削特性决定了掩膜微细结构的加工质量，以SU8为研究对象，结合实验和仿真分析研究了光刻胶掩膜的切削特性。通过纳米压痕法测试了光刻胶SU8的应力-应变关系，建立了基于能量法的SU8切削仿真模型，然后采用AdvantEdge FEM模拟了不同切削参数下光刻胶SU8的切削过程，最后开展了光刻胶SU8的超精密加工实验。结合仿真与实验结果，分析了切削参数和刀具前角对表面质量的影响规律，优化了光刻胶SU8的切削加工参数。结果表明：表面粗糙度随着切削速度的增大呈现减小的趋势，随着进给速度和切削深度的增加呈现增大的趋势；当切削速度为2.09 m/s、进给速度为1 mm/min、切削深度为2 μm、刀具前角为0°时，光刻胶掩膜的表面粗糙度Ra达到最优为7.4 nm，无微裂纹等微观缺陷。基于切削仿真与实验结果对加工参数进行优化，并在光刻胶SU8掩膜上实现了高精度微透镜阵列结构的加工。
超精密切削 掩膜加工 切削仿真 光刻胶SU8 微透镜阵列 ultra-precision cutting mask processing cutting simulation photoresist SU8 microlens array 光学 精密工程
2023, 31(13): 1909
上海理工大学 光电信息与计算机工程学院，上海 200093
为克服传统制备半导体场效应晶体管（FET）过程中存在的材料损伤、对准精度受限、电极转移难度大和成本高昂等缺陷，提出了一种基于柔性掩膜技术的半导体FET制备方法。利用紫外光刻技术制作柔性掩膜板，直接捞取并加热蒸干固定掩膜板，采用离子束溅射法沉积金属，并通过将半导体CdSe纳米带转移到电极上，获得了N沟道耗尽型FET，证实了器件的功能性和此方法的可行性。此技术成本低廉，且材料损伤小，为制备集成半导体器件提供了一种新的思路。
半导体 场效应晶体管 掩膜板 semiconductor field effect transistor stencil
1 昆明物理研究所, 云南昆明 650223
2 陆军装备部驻重庆地区军事代表局驻昆明地区第一军事代表室, 云南昆明 650023
3 中国船舶工业系统工程研究院, 北京海淀 100094
图像分层滤波器中引导滤波器因其滤波保边效果好和计算复杂度低, 在红外图像细节增强领域得到了广泛的研究与应用。但传统的引导滤波器固定的正则化参数.不能在所有场景下都取得较好的滤波分层效果, 所以本文提出基于局部方差的参数 .自适应算法, 以提高引导滤波器场景适应性。此外本文进一步通过自适应参数 .值, 提出了改进的基于噪声掩膜函数的细节层自适应增强算法, 从而在有效抑制了图像噪声水平同时提高了算法在不同场景下的细节增强能力。
引导滤波 参数自适应 噪声掩膜函数 噪声抑制 细节增强 guided filtering parameter adaptation noise mask function noise suppression detail enhancement
1 重庆理工大学材料科学与工程学院，重庆 400054
2 中科院上海硅酸盐研究所，无机功能材料与器件重点实验室，上海 201800
近年来，随着柔性电子的快速发展，制造柔性、微型、大面积和低成本的储能器件得到了极大的关注。以六水硝酸镍/钴为原料、硫脲为硫化剂、引入热解g-C3N4，通过一步溶剂热制备NiCo2S4/g-C3N4纳米复合材料。采用掩膜版将调配的NiCo2S4/g-C3N4油墨印刷在柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯基底形成叉指结构电极，继而涂覆凝胶电解质组装成柔性叉指型超级电容器。结构和电化学性能研究表明：NiCo2S4纳米晶分布生长在g-C3N4纳米片层表面，引入的g-C3N4起到增强NiCo2S4充放电过程中的电荷传输及容纳其体积膨胀的作用，复合材料电极在10 mA/cm2的电流密度下面积比电容为9.1 F/cm2。组装的叉指电容器可在-0.2~0.6 V的电压下工作，并且在高至500 mV/s的扫描速率下保持稳定，表明器件良好的倍率性能。在20 mV/s的扫描速率下，器件的面积比电容可达5.7 mF/cm2，当功率密度为17.5 mW/cm3时，器件的能量密度为0.56 mW?偸h/cm3。
双金属硫化物 叉指超级电容 掩膜印刷 电化学性能 bimetallic sulfide interdigital supercapacitor mask printing electrochemical performance
