Goos-Hanchen(GH) 位移只有波长数量级,在实验测量上比较困难。提出了一种基于液晶光阀 (LCLV)和光束分析仪(LBP)直接测量GH位移的新方法。研究了LCLV对 光偏振态调制的特性,结果发现,当外接电压发生变化时, 光的偏振态也随之变化。利用 LCLV 对光偏振态的调制和 LBP 记录光斑的重心位置的变化,直接测量出 TE 和 TM 两种偏振态 入射时棱镜单界面反射光束的GH位移差。这个探测方法简单,不需要复杂的外部处理电路,且实验结果与理论结果很吻合, 此方法也可以进一步直接测量二维位移。
光电子学 Goos-Hanchen位移 液晶光阀 光束分析仪 optoelectronics Goos-Hanchen shift liquid crystal light valve light beam profiler
1 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室, 陕西 西安 710068
2 上海大学理学院物理系, 上海 200444
3 华中科技大学光电子工程系, 湖北 武汉 430074
如果在折射率较高的电介质基底上镀一层折射率较低的电介质薄膜(介质膜的另一侧为折射率更低的介质,如空气),并且恰当选择基底内光束的入射角,使得光束在基底-介质膜界面上折射到薄膜内、在薄膜-空气界面上全反射,那么反射光束的Goos-Hanchen(GH)位移在一定条件下会得到共振增强。采用微波技术直接地测量了这种Goos-Hanchen位移随电介质膜厚度的变化,测量结果与理论预言吻合得较好。
Goos-Hanchen位移 共振增强 电介质膜 微波测量
1 上海大学理学院物理系, 上海 200436
2 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室, 陕西 西安 710068
在单界面的全反射和双棱镜结构的受抑全内反射中,Goos-Hanchen(GH)位移量只能达到波长的量级,在实验中很难对其进行探测.在镀有薄膜的玻璃棱镜界面上,当入射角小于但接近于棱镜与薄膜(其折射率小于棱镜的折射率)界面的临界角时,全反射光束的GH位移共振增强现象.分析表明,在入射角给定的情况下,共振峰的峰值随着薄膜厚度的增加而增加,峰值位移量可以达到光波长的100～1000倍,且位移量可通过改变入射角和薄膜厚度来调节.最后给出了为使反射光束的轮廓不变,薄膜的厚度应满足的条件.
薄膜 增强的Goos-Hanchen位移 稳态相位法 共振
