作者单位
摘要
1 昆明物理研究所, 云南 昆明650223
2 北京理工大学 光电学院, 北京 100081
在读出电路有限的像元面积内获得尽可能大的电荷存储量是实现甚高灵敏度红外探测器的关键。基于脉冲频率调制的像元级模数转换(ADC)是实现甚高灵敏度红外探测器读出电路的主要方法, 阐述了像元级脉冲频率调制ADC的原理, 介绍了美国麻省理工学院林肯实验室、法国CEA-LETI在像元级数字读出电路的研究进展。作为从立体空间拓展电路密度的新技术, 介绍了三维读出电路的研究进展。最后介绍了昆明物理研究所甚高灵敏度红外探测器读出电路的研究进展。利用像元级ADC技术和数字域时间延迟积分(TDI)技术, 昆明物理研究所研制的长波512×8数字化TDI红外探测器组件, 峰值灵敏度达到1.5 mK。
甚高灵敏度红外探测器 像元级ADC 三维读出电路 数字域TDI very high sensitivity infrared detector pixel-level ADC 3D ROIC digital TDI 
红外与激光工程
2020, 49(1): 0103011
作者单位
摘要
北京工业大学,电子与信息控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022
超薄、平整的硅膜对于制作高灵敏度红外探测器是非常重要的.这种超薄硅膜的各向异性腐蚀技术,包括有机溶液EPW和无机溶液KOH及KOH+IPA(异丙醇).从腐蚀速率、腐蚀表面质量、腐蚀停特性、腐蚀边缘形貌及腐蚀工艺的角度分析比较了两种腐蚀系统,分别制作出了约1μm厚的平整超薄硅膜,并研究了不同掩膜材料在腐蚀液中的抗蚀性,为高灵敏度红外探测器的制作奠定了工艺基础.
超薄硅膜 各向异性腐蚀 高灵敏度红外探测器 Very thin Si membrane Anisotropic etching High sensitivity infrared detector 
红外与激光工程
2005, 34(1): 23

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