School of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350108, CHN
以三（二甲胺基）膦为膦源，氯化铟为铟源，采用热注射法制备波长可调的无毒InP/ZnS量子点，研究了反应物P与In的摩尔比、ZnI2和ZnCl2的摩尔比以及ZnS的反应时间对合成的InP/ZnS量子点微观结构和光学性能的影响。实验结果表明，在反应物摩尔比为nP3-∶nIn3+ = 5∶1、ZnS反应时间为60 min时，合成的InP/ZnS量子点近似球形，属于闪锌矿结构，其荧光光谱在460 nm~620 nm范围内可调。蓝色、绿色、红色波段的InP/ZnS量子点的半高宽分别约为52、52、59 nm，平均粒径分别为3.05、3.32、3.44 nm，荧光寿命分别为59.41、61.44和68.08 ns。利用激光辅助制备绿色图形化InP/ZnS薄膜，以蓝光OLED作为激发光源，结合DBR微结构，薄膜的色彩转换效率可达到20.9%，色坐标从（0.22，0.30）变化到（0.29，0.63）。这些InP/ZnS量子点发光器件在照明和显示方面具有潜在的应用价值。
InP/ZnS量子点 图形化量子点薄膜 激光辅助 色彩转化 InP/ZnS QDs patterned QDPR film laser assistance color conversion
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室, 吉林 长春 130033
2 中国科学院大学, 北京 100049
3 吉林大学 电子科学与工程学院, 集成光电子学国家重点联合实验室, 吉林 长春 130012
提出了采用环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料制备匹配蓝光Micro-LED阵列的量子点色转换层以实现Micro-LED阵列器件全彩化的技术方案。通过采用倒置式量子点色转换层方案, 实现了InP/ZnS量子点材料和Micro-LED阵列的非直接接触, 从而可以缓解LED中热量聚集导致的量子点材料发光主波长偏移、半峰宽展宽以及发光效率衰减等问题。量子点色转换层中内嵌PDMS聚合物柔性膜层, 可以消除咖啡环效应, 同时, 色转换层中内嵌飞秒激光图案化处理的500 nm长波通滤光膜层, 可以抑制蓝光从非蓝色像素单元出射。最后, 实验制备了像素单元中心间距90 μm的16×16 InP/ZnS量子点色转换层。该设计可以实现基于蓝光Micro-LED阵列的全彩色Micro-LED显示器件的制备, 并且该制备方法可以降低全彩色Micro-LED阵列显示器件的制备成本。
InP/ZnS量子点材料 色转换层 全彩显示器件 Micro-LED micro-LED InP/ZnS quantum dots material color conversion layer full-color display device
1 东南大学生物科学与医学工程学院 生物电子学国家重点实验室, 江苏 南京 210096
2 黔南民族医学高等专科学校, 贵州 都匀 558000
利用巯基丙酸包覆的InP@ZnS 量子点(QDs)与Dured构建了一种检测DNA的荧光探针。在该探针中, 以环境友好型带负电的InP@ZnS量子点为荧光团, 与带正电的Dured通过静电结合, 构建了InP@ZnS QDs/Dured纳米荧光探针。通过荧光共振能量转移(FRET)机理, 量子点荧光被猝灭; 当DNA存在时, Dured与DNA的特异性结合使Dured从InP@ZnS QDs表面脱附, FRET过程被打断, InP@ZnS QDs荧光恢复, 以荧光“关-开”方式检测DNA。该探针检测DNA的线性范围为2.0～275.0 ng·L-1, 检测限为1.0 ng·L-1, 并可用于模拟生物生理条件下的DNA检测。
InP@ZnS量子点 荧光探针 荧光共振能量转移 InP@ZnS quantum dots fluorescent probe DNA DNA FRET
